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應用案例 APPLICATIONS
美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220 MEMS 探針光柵刻蝕應用
高能量 22cm 柵極離子源, MEMS 探針光柵刻蝕, 材料為 Sio2 和金屬, 刻蝕均勻性 ±5%
IBE 離子束干法刻蝕機在精密光柵加工中的應用優勢
上海伯東 IBE 離子束刻蝕機適用于閃耀羅蘭光柵, AR 眼鏡斜光柵, GaN光柵, 薄膜鈮酸鋰（LN）光柵耦合器制備
上海伯東離子束刻蝕機 20IBE-C 在 BAW/SAW 濾波器刻蝕中的應用
IBE 離子束刻蝕機 20IBE-C 成為 BAW/SAW 濾波器制造的關鍵工藝之一.
IBE 離子束刻蝕機工作原理與性能特點
IBE (Ion Beam Etching) 離子束刻蝕, 通常使用 Ar 氣體作為蝕刻氣體, 將與電子的沖擊產生的離子在 200~ 1000ev 的范圍內加速, 利用離子的物理動能
KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應用于雙腔室高真空等離子 ALD 系統
KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應用于雙腔室高真空等離子 ALD 系統
KRi 考夫曼離子源 KDC 100 應用于 IBE 離子束刻蝕機
應用于刻蝕 2寸,4寸金屬和多層氧化物, 滿足客戶研發液晶功能材料及器件, 如光柵器件(透射式, 螺旋式和閃耀式光柵) 等要求.
ph-instruments SRG 磁懸浮轉子真空計可替代 MKS, INFICON 離子規
可以替代離子規 MKS 903 AP,MKS GP 390,MKS GP 355,MKS GP 354, Inficon HPG400,Inficon MPG400 等型號
SRG 磁懸浮轉子真空計應用優勢
耐腐蝕和沉積, 無燈絲設計, 替代傳統的離子規(冷陰極離子規或熱陰極離子規)
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