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應(yīng)用案例 APPLICATIONS
美國(guó) KRi 射頻離子源 RFICP 220 MEMS 探針光柵刻蝕應(yīng)用
高能量 22cm 柵極離子源, MEMS 探針光柵刻蝕, 材料為 Sio2 和金屬, 刻蝕均勻性 ±5%
上海伯東 Hakuto 在線質(zhì)譜分析儀催化劑多孔材料表征
在線質(zhì)譜分析儀與 BTA 表面分析儀聯(lián)用進(jìn)行催化劑多孔材料表征
IBE 離子束干法刻蝕機(jī)在精密光柵加工中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
上海伯東 IBE 離子束刻蝕機(jī)適用于閃耀羅蘭光柵, AR 眼鏡斜光柵, GaN光柵, 薄膜鈮酸鋰（LN）光柵耦合器制備
上海伯東離子束刻蝕機(jī) 20IBE-C 在 BAW/SAW 濾波器刻蝕中的應(yīng)用
IBE 離子束刻蝕機(jī) 20IBE-C 成為 BAW/SAW 濾波器制造的關(guān)鍵工藝之一.
IBE 離子束刻蝕機(jī)工作原理與性能特點(diǎn)
IBE (Ion Beam Etching) 離子束刻蝕, 通常使用 Ar 氣體作為蝕刻氣體, 將與電子的沖擊產(chǎn)生的離子在 200~ 1000ev 的范圍內(nèi)加速, 利用離子的物理動(dòng)能
KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應(yīng)用于雙腔室高真空等離子 ALD 系統(tǒng)
KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應(yīng)用于雙腔室高真空等離子 ALD 系統(tǒng)
KRi 考夫曼離子源 KDC 100 應(yīng)用于 IBE 離子束刻蝕機(jī)
應(yīng)用于刻蝕 2寸,4寸金屬和多層氧化物, 滿足客戶研發(fā)液晶功能材料及器件, 如光柵器件(透射式, 螺旋式和閃耀式光柵) 等要求.
ph-instruments SRG 磁懸浮轉(zhuǎn)子真空計(jì)可替代 MKS, INFICON 離子規(guī)
可以替代離子規(guī) MKS 903 AP,MKS GP 390,MKS GP 355,MKS GP 354, Inficon HPG400,Inficon MPG400 等型號(hào)
SRG 磁懸浮轉(zhuǎn)子真空計(jì)應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
耐腐蝕和沉積, 無(wú)燈絲設(shè)計(jì), 替代傳統(tǒng)的離子規(guī)(冷陰極離子規(guī)或熱陰極離子規(guī))
品牌專區(qū) BRANDS
KRi 考夫曼離子源
Hakuto Genius 自研在線質(zhì)譜分析儀
ph-instruments 磁懸浮轉(zhuǎn)子真空計(jì)
Hakuto NS 離子束刻蝕機(jī) IBE
Pfeiffer Vacuum 普發(fā)真空
InTest 高低溫沖擊熱流儀
HVA 超高真空閥門(mén)
Gel-Pak 芯片包裝盒
Busch 普旭真空
Europlasma 低壓等離子表面處理設(shè)備
Thermonics 超低溫冰水機(jī)
BOE-THERM 模溫機(jī)
ULVAC-PHI 愛(ài)發(fā)科費(fèi)恩斯
Polycold 冷凍機(jī)
