上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRi 霍爾離子源 eH 1000, 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 特別適合中型真空系統(tǒng). 實(shí)現(xiàn)離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
KRi 霍爾離子源 eH 1000 技術(shù)參數(shù)
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型號(hào) |
eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO |
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供電 |
DC magnetic confinement |
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- 電壓 |
50-300V DC |
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- 離子源直徑 |
~ 5 cm |
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- 陽極結(jié)構(gòu) |
模塊化 |
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電源控制 |
eHx-300 10A |
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配置 |
- |
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- 陰極中和器 |
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
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- 離子束發(fā)散角度 |
> 45° (hwhm) |
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- 陽極 |
標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved |
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- 水冷 |
前板水冷 |
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- 底座 |
移動(dòng)或快接法蘭 |
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- 高度 |
4.0' |
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- 直徑 |
5.7' |
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- 加工材料 |
金屬 |
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- 工藝氣體 |
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
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- 安裝距離 |
10-36” |
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- 自動(dòng)控制 |
控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder
KRi 霍爾離子源 eH 1000 應(yīng)用
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預(yù)清洗 Load lock preclean
• 預(yù)清洗 In-situ preclean
• 沉積鍍膜 Direct Deposition
• 表面改性 Surface Modification
• 低能刻蝕 Low-energy etching
• 聚合物基材 Polymer Substrates
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級(jí)控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時(shí)提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
若您需要進(jìn)一步的了解 KRi 離子源 詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式：
上海伯東: 葉小姐 臺(tái)灣伯東: 王小姐
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