上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流柵極離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準第三層柵極. 離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 40 技術參數
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型號 |
KDC 40 |
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陽極 |
DC 直流 |
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陽極功率 |
100W |
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最大離子束流 |
>100mA |
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電壓 |
100-1200V |
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氣體 |
惰性和反應氣體 |
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進氣流量 |
2-10sccm |
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壓力 |
<0.5m Torr |
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離子光學(自對準) |
OptiBeamTM |
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離子束直徑 |
4cm Φ max |
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柵極 |
鉬和石墨 |
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離子束形狀 |
聚焦, 平行, 散射 |
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高度 |
16cm |
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直徑 |
9cm |
KRI 考夫曼離子源 KDC 40 應用領域
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
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