KRi 考夫曼離子源表面預清潔 Pre-clean 應用
實驗條件: 8寸硅片帶銅膜, 通氬氣, 60s
污染物清除: 有機物,吸附氣體
數據來源: 俄歇電子能譜 Auger spectra, 美國 KRi 原廠資料
KRi 考夫曼離子源表面預清潔 Pre-clean 應用
實驗條件: 8寸硅片帶銅膜, 通氬氣, 60s
污染物清除: 有機物,吸附氣體
數據來源: 俄歇電子能譜 Auger spectra, 美國 KRi 原廠資料
KRi 考夫曼離子源表面預清潔 Pre-clean 應用
實驗條件: 輕蝕刻, 硅片去除很薄的金屬膜, 通氬氣
污染物清除: 去除金屬薄膜 (w/ Ni/Fe)
數據來源: 美國 KRi 原廠資料
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上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
若您需要進一步的了解 KRi 離子源 詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式：
上海伯東: 葉小姐 臺灣伯東: 王小姐
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