上海伯東美國 KRi 離子源中國總代理.原裝進口 KRi 高電流霍爾離子源 eH 2000, 低成本設計提供高電流離子束, KRi 霍爾離子源 eH 2000 適合大中型真空系統,適用于離子輔助鍍膜 IBAD, 預清洗 In-situ preclean 和低能量離子蝕刻 IBE.
KRI 霍爾離子源 eH 2000 技術參數
|
型號 |
eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO |
|
供電 |
DC magnetic confinement |
|
- 電壓 |
40-300V VDC |
|
- 離子源直徑 |
~ 5 cm |
|
- 陽極結構 |
模塊化 |
|
電源控制 |
eHx-30010A |
|
配置 |
- |
|
- 陰極中和器 |
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
|
- 離子束發散角度 |
> 45° (hwhm) |
|
- 陽極 |
標準或 Grooved |
|
- 水冷 |
前板水冷 |
|
- 底座 |
移動或快接法蘭 |
|
- 高度 |
4.0' |
|
- 直徑 |
5.7' |
|
- 加工材料 |
金屬 |
|
- 工藝氣體 |
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
|
- 安裝距離 |
16-45” |
|
- 自動控制 |
控制4種氣體 |
* 可選: 可調角度的支架; Sidewinder
KRI 霍爾離子源 eH2000 應用領域
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預清洗 Load lock preclean
• 預清洗 In-situ preclean
• Direct Deposition
• Surface Modification
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
若您需要進一步的了解 KRi 離子源 詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式：
上海伯東: 葉小姐 臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 ) M: +886-939-653-958
現部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯絡上海伯東 葉小姐 1391-883-7267
上海伯東版權所有, 翻拷必究！
