上海伯東電子束鍍膜機加裝離子源典型案例: 根據客戶 Φ1.2m 鍍膜腔體尺寸, 基材尺寸和工藝條件, 推薦選用霍爾離子源 eh2000 HC, 配置中空陰極, 中和器, 自動控制器
1. 設備: Φ1.2m 電子束鍍膜機.
2. 基材:望遠鏡用零部件, 鍍鋁 Al, 最外層鍍一層二氧化硅 SiO2, 做為保護膜
3. 加裝霍爾離子源: eh2000HC, 通氧氣
3. 離子源條件: Vb:120V ( 離子束陽極電壓 ), Ib:14A ( 離子束陽極電流 ), O2 gas:45sccm( 氧氣 ).
4. 離子源應用: 望遠鏡用零部件鍍金屬膜
KRI_eh2000

腔體內中的霍爾離子源 eh2000HC 通氧氣 O2 霍爾離子源 eh2000HC 自動控制器

KRi 霍爾離子源 eH2000

美國 KRi 霍爾離子源 eh2000HC 主要技術規格
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 4”
放電電壓 / 電流: 50-250V / 15A
可通氣體: Ar, O2, N2,H2
離子束發散角度：> 45° (hwhm)
水冷

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.

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