主要型號
KRi 霍爾離子源 Gridless 提供高電流低能量 end-Hall 系列產品, 包含寬束霍爾型離子源和電源控制器, 整體設計, 易于系統集成, KRi 霍爾離子源典型應用: 輔助鍍膜 IABD, 鍍膜預清潔 ISSP, 離子蝕刻等
主要型號
KRi 霍爾離子源 Gridless 提供高電流低能量 end-Hall 系列產品, 包含寬束霍爾型離子源和電源控制器, 整體設計, 易于系統集成, KRi 霍爾離子源典型應用: 輔助鍍膜 IABD, 鍍膜預清潔 ISSP, 離子蝕刻等
技術參數
美國 KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設計, 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級的細微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業, 半導體應用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設計提高吞吐量和覆蓋沉積區. 整體易操作, 易維護. KRi 霍爾離子源 eH 提供一套完整的方案包含離子源, 電子中和器, 電源供應器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各類真空設備中, 例如鍍膜機, load lock, 濺射系統, 卷繞鍍膜機等.
美國 KRI 霍爾離子源 eH 特性
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無柵極 |
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美國 KRI 霍爾離子源 eH 主要應用
輔助鍍膜 IBAD
濺鍍&蒸鍍 PC
表面改性、激活 SM
沉積 (DD)
離子蝕刻 LIBE
光學鍍膜
Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)
Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)
例如
1. 離子輔助鍍膜及電子槍蒸鍍
2. 線上式磁控濺射及蒸鍍設備預清洗
3. 表面處理
4. 表面硬化層鍍膜
5. 磁控濺射輔助鍍膜
7. 偏壓離子束磁控濺射鍍膜
霍爾離子源 eH 系列在售型號:
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型號 |
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中和器 |
F or HC |
F or HC |
F or HC |
F or HC |
F |
|
陽極電壓 |
50-300 V |
50-300 V |
50-300 V |
50-250 V |
50-300 V |
|
離子束流 |
5A |
10A |
10A |
20A |
根據實際應用 |
|
散射角度 |
>45 |
>45 |
>45 |
>45 |
>45 |
|
氣體流量 |
2-25 sccm |
2-50 sccm |
2-75 sccm |
5-100 sccm |
根據實際應用 |
|
本體高度 |
3.0“ |
4.0“ |
4.0“ |
6.0“ |
根據實際應用 |
|
直徑 |
3.7“ |
5.7“ |
5.7“ |
9.7“ |
根據實際應用 |
|
水冷 |
可選 |
可選 |
是 |
可選 |
根據實際應用 |
F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
若您需要進一步的了解 KRi 離子源 詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式：
上海伯東: 葉小姐 臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 ) M: +886-939-653-958
現部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯絡上海伯東 葉小姐 1391-883-7267
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