上海伯東代理美國 KRi 霍爾離子源 eH 400 低成本設計提供高電流離子束 > 750 mA, KRi 霍爾離子源 eH 400 小巧的尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統, 可以控制較低的離子能量, 適用于離子輔助鍍膜 IBAD, 預清洗 PC s和低能量離子蝕刻 IBE.
KRi 霍爾離子源 eH 400 技術參數:
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型號 |
eH 400 |
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陽極 |
DC |
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陽極電流(最大) |
5A |
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離子束流(最大) |
>750mA |
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陽極電壓范圍 |
50-300V |
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離子能量范圍 |
25-300eV |
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陽極功率(最大) |
500W (輻射冷卻) |
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氣體 |
惰性氣體和反應氣體 |
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氣體流量 |
3-30 sccm |
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壓力 |
< 1 x 10-3 Torr |
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離子束流直徑 |
4cm Φ |
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離子束發散角度 |
> 45° (hwhm) |
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陰極中和器 |
沉浸式或非沉浸式 |
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尺寸: |
高度: 3.0” (7.62cm); 直徑: 3.7” (9.4cm) |
KRi 霍爾離子源 eH 400 應用領域:
電子束蒸發, 磁控濺射中的 IBAD
Load Lock 預清潔
沉積前的預清潔
低能離子束蝕刻
類金剛石碳涂層
離子束濺射
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
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