美國 KRi 霍爾離子源 eH 400 輔助鍍膜 IBAD 應用

eH 400 應用于 e-beam 電子束蒸發系統, 實現 IBAD 輔助鍍膜, 通過向生長的薄膜中添加能量來增強分子動力學, 以增加表面和原子 / 分子的流動性

KRi 霍爾離子源 EH 3000 IBAD 輔助鍍膜

大尺寸霍爾離子源 EH 3000 應用于直徑 2.2m 蒸鍍機, 用于蒸鍍 1.5m 天文望遠鏡鏡片

KRi 大尺寸射頻離子源 RFICP 380 應用于藍玻璃 AR工藝

光學鍍膜機加裝 KRi 大尺寸射頻離子源 RFICP 380, 在離子清洗, 輔助沉積時, 提高藍玻璃的薄膜 / 基層物的附著性和硬度, 減少吸收殘余氣體的污染物和薄膜應力

美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 在磁控濺射鍍膜機中的應用

KRi 離子源 KDC 40 鍍膜前基片預清潔 Pre-clean + 氧化物刻蝕 Etching

美國 KRi 射頻離子源 RFICP 100 應用于國產離子束濺射鍍膜機 IBSD

RFICP 100 替換原有的國產離子源, 單次工藝時間可以達到數百小時, 維持高穩定離子束濺射工藝獲得高品質薄膜

KRi 霍爾離子源 eH 400 HC 應用于 IBE 離子束刻蝕機

霍爾離子源 eH 400 HC 實現 2英寸硅芯片蝕刻,對于 Fe, Se, Te ,PCCO 及多項材料刻蝕工藝

美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220 增強光學基片反射及透射率

RFICP 220 通過玻璃鏡片表面清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 增強光學基片反射及透射率

KRi 射頻離子源 RFICP 380 樹脂鏡片高性能 AR 工藝

手機鏡頭等上游供應商在生產工藝中通常使用離子源進行輔助沉積, 由此改善由手機攝像頭內樹脂鏡片非有效徑區域透光跟反射光線形成的 flare 現象

KRi 霍爾離子源 eH 400 不規則電子晶片蒸鍍前清洗

霍爾離子源 eH 400 應用于蒸發鍍膜機, 不規則電子晶片蒸鍍前清洗, 經過清洗后的晶片鍍膜, 膜層厚度均勻性及附著牢固度都明顯提高.

KRi 考夫曼離子源常見真空應用

離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝介紹

美國 KRi 高電流霍爾離子源 eH 2000 又獲精密光學鍍膜訂單

eH 2000 霍爾離子源在光學鍍膜機中, 制程前做清潔, 6寸芯片的預清洗

KRi 霍爾離子源 eH 1000 應用于聚氨酯類的材料進行清洗前處理

霍爾離子源 eH 1000 安裝于磁控濺射設備對聚氨酯類的材料進行清洗前處理.

美國 KRi 三層柵網射頻離子源 RFICP 220 精密光學鍍膜應用

鍍金屬反射膜, 大型望遠鏡--3.2米量級主鏡鍍膜應用的真空鍍膜系統,用于改善金屬膜層附著力, 降低氧化物吸收和提高環境穩定性

KRi 考夫曼離子源 e-beam 電子束蒸發系統輔助鍍膜應用

通過加熱燈絲產生電子, KDC 系列離子源增強設計輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實現輔助鍍膜 IBAD

電子束鍍膜機加裝 KRi 霍爾離子源 EH 2000

eH 2000 加裝于電子束鍍膜機用于望遠鏡用金屬零部件 IBAD 輔助鍍膜

美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 10 硅片刻蝕應用

KDC 10 離子源用于自主搭建離子束刻蝕機, 進行 1寸或2寸晶圓 (硅片) 刻蝕

美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220 MEMS 晶圓蝕刻

刻蝕 6寸或8寸 MEMS 晶圓, 材料為 Au / Ti ; 鐵磁性多層膜蝕刻, 材料為 RU, Co, Fe, Pt, Ta.

KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應用

KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應用

KRi 霍爾離子源 eH 400F 典型應用濺鍍鍍膜預清潔工藝 Pre-clean

eH 400 成功應用于 6寸硅片電源管理集成電路芯片 PMIC 濺鍍鍍膜前預清潔工藝 Pre-clean.

KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應用于雙腔室高真空等離子 ALD 系統

KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應用于雙腔室高真空等離子 ALD 系統

KRi 射頻離子源 RFICP 325 LED-DBR 輔助鍍膜

安裝于 1650 mm 尺寸電子槍蒸鍍鍍膜機, 用于 LED-DBR 輔助鍍膜, 精密光學鏡頭

KRi 射頻離子源 RFICP 40 應用于氧化物薄膜及異質結制備系統

KRi 射頻離子源 RFICP 40 協助完成 MgO, Y2O3, Al2O3 等金屬氧化物在 6寸單晶硅上均勻沉積多層膜的需要, 單晶硅鍍氧化薄膜的工藝過程

KRi 考夫曼離子源應用于離子束拋光工藝

KRi 考夫曼離子源應用于光學鍍膜離子束拋光機及晶體硅片離子束拋光機.

KRi 霍爾離子源 eH 2000 望遠鏡鏡片鍍膜應用

eH 2000 安裝于高性能電子束光學鍍膜機, 實現 300 mm 望遠鏡鏡片鍍膜.

KRi 直流磁控濺射電源應用于金屬靶材濺射

KRi 直流磁控濺射電源應用于金屬靶材濺射

KRi 射頻離子源 RFICP 220 8英寸 IBE 離子束刻蝕

RFICP 380, RFICP 220 成功應用于 12英寸和 8英寸 IBE 離子束蝕刻機, 實現 300mm 和 200 mm 硅片蝕刻

KRi 考夫曼離子源表面預清潔 Pre-clean 應用

離子源預清潔 Pre-clean 的工藝, 對基材表面有機物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等

美國 KRi RFICP 220 三層柵網射頻離子源適用于 8寸金屬刻蝕機

三層柵網設計, 覆蓋面積更大, 精密控制離子束流的能量, 方向

美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220 精密光學鍍膜解決方案

為精密光學鍍膜提供解決方案, 適用于濺射鍍, 蒸鍍, 膜層均勻且牢固

KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應用于 IBE 刻蝕 + E-beam 高真空雙腔系統

美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應用于 IBE 刻蝕 + E-beam 高真空雙腔系統

KRI 霍爾離子源控制器成功替代 Veeco Commonwealth 控制器

不需更改任何鍍膜機計算機程序及相關設定即可直接運做

KRi 霍爾離子源 eH 1000 應用于科研級薄膜沉積設備

eH 1000 應用于高真空電子束蒸發設備 E-Beam, 4英寸的氧化膜沉積實驗.

KRi 考夫曼離子源 KDC 160 應用于硅片刻蝕清潔

KDC 160 應用于硅片刻蝕系統: 批量處理, 行星載臺 4 x 10 片, 刻蝕均勻性 <±5%

KRi 射頻離子源應用于 12英寸和8英寸金屬蝕刻機中

12英寸和 8英寸磁存儲器刻蝕機, 8英寸量產型金屬刻蝕機中, 實現 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蝕工藝, 適用于 IC, 微電子,光電子, MEMS 等領域.

美國 KRi 霍爾離子源 EH 3000 應用于蒸鍍直徑 2.2m 天文望遠鏡

霍爾離子源 EH 3000 應用于蒸鍍直徑 2.2m 天文望遠鏡, 鍍全反射膜, 高均勻性及高致密性的膜層可以保障光源有效反射, 盡可能減少吸收

KRi 考夫曼離子源 KDC 100 應用于 IBE 離子束刻蝕機

應用于刻蝕 2寸,4寸金屬和多層氧化物, 滿足客戶研發液晶功能材料及器件, 如光柵器件(透射式, 螺旋式和閃耀式光柵) 等要求.

美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應用

考夫曼離子源 KDC 40 進行鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等.

美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220 MEMS 探針光柵刻蝕應用

高能量 22cm 柵極離子源, MEMS 探針光柵刻蝕, 材料為 Sio2 和金屬, 刻蝕均勻性 ±5%