上海伯東離子源蒸鍍典型案例: 根據客戶 2.2m 鍍膜腔體尺寸, 基材尺寸和工藝條件, 推薦選用霍爾離子源 eh3000 HC, 配置中空陰極, 中和器, 自動控制器
1. 設備: 2.2m 蒸鍍鍍膜機.
2. 基材: 1.5m 天文望遠鏡鏡片鍍鋁 Al, 最外層鍍一層二氧化硅 SiO2, 做為保護膜
3. 離子源條件: Vb:120V ( 離子束陽極電壓 ), Ib:14A ( 離子束陽極電流 ), O2 gas:45sccm( 氧氣 ).
4. 離子源應用: 天文望遠鏡鏡片鍍全反射膜, 約3個小時; 保障光源反射, 盡可能減少吸收.

霍爾離子源 EH 3000 HC 主要技術參數

尺寸: 直徑= 9.7“ 高= 6”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 20A
可通氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2,
離子束發散角度：> 45° (hwhm)
水冷

EH3000_KRI霍爾離子源

類似應用: 汽車頭燈模塊鍍全反射膜, 使發光源的光全部反射出去照亮

美國 KRi 霍爾離子源憑借高密度的離子濃度, 廣角度涵蓋面積的離子束, 可控制離子的強度及濃度, 已廣泛應用于離子輔助鍍膜 IBAD , 獲得高質量的膜層. 上海伯東美國 KRi 霍爾源可依客戶鍍膜機尺寸, 基材尺寸及工藝條件選擇對應型號: EH 400, EH 1000, EH 2000, EH 3000.

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.

若您需要進一步的了解 KRi 離子源 詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式：
上海伯東: 葉小姐臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 ) M: +886-939-653-958

現部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯絡上海伯東葉小姐 1391-883-7267
上海伯東版權所有, 翻拷必究！