主要型號
KRi 考夫曼離子源 KDC
主要型號
KRi 考夫曼離子源 KDC
技術(shù)參數(shù)
上海伯東美國原裝進(jìn)口 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 增強(qiáng)設(shè)計(jì)輸出高質(zhì)量, 穩(wěn)定的電子流.
美國 KRI 考夫曼公司新升級 Gridded KDC 系列離子源, 新的特性包含自對準(zhǔn)離子光學(xué)和開關(guān)式電源控制. 考夫曼離子源 KDC 系列包含多種不同尺寸的離子源滿足各類應(yīng)用. 考夫曼離子源 KDC 提供一套完整的方案包含考夫曼離子源, 電子中和器, 電源供應(yīng)器等等可以直接整合在各類真空設(shè)備中, 例如實(shí)驗(yàn)室小型研發(fā), 鍍膜機(jī), load lock, 磁控濺射系統(tǒng), 卷繞鍍膜機(jī)和線性鍍膜.
美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 特性：
通過加熱燈絲產(chǎn)生電子
低電流高能量寬束型離子源
美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 應(yīng)用：
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜) IBAD
濺鍍&蒸鍍 PC
表面改性, 激活 SM
沉積 DD
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 技術(shù)參數(shù)：
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型號 |
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Discharge 陽極 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
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離子束流 |
>10 mA |
>100 mA |
>250 mA |
>400 mA |
>650 mA |
|
離子動能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
1 cm Φ |
4 cm Φ |
7.5 cm Φ |
12 cm Φ |
16 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
1-5 sccm |
2-10 sccm |
2-15 sccm |
2-20 sccm |
2-30 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
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長度 |
11.5 cm |
17.1 cm |
20.1 cm |
23.5 cm |
25.2 cm |
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直徑 |
4 cm |
9 cm |
14 cm |
19.4 cm |
23.2 cm |
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中和器 |
燈絲 |
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美國 KRI 考夫曼離子源結(jié)構(gòu)圖
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上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息
請聯(lián)絡(luò)上海伯東: 葉女士 M: 13918837267(微信同號)
