上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 75: 緊湊柵極離子源, 離子束直徑 14 cm ,可安裝在 8“CF法蘭. 適用于中小型腔內(nèi), 考夫曼離子源 KDC 75 包含2個(gè)陰極燈絲, 其中一個(gè)作為備用, KDC 75 提供緊密聚焦的電子束特別適合濺射鍍膜. 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 250 mA.
 

KRI 考夫曼離子源 KDC 75 技術(shù)參數(shù)
通過加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強(qiáng)設(shè)計(jì)輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實(shí)現(xiàn)輔助鍍膜 IBAD.

* 可選: 一個(gè)陰極燈絲; 可調(diào)角度的支架

KRI 考夫曼離子源 KDC 75 應(yīng)用領(lǐng)域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

KRi KDC 考夫曼離子源典型案例:
設(shè)備: e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)
離子源型號(hào): KDC 75
應(yīng)用: IBAD 輔助鍍膜, 在玻璃上鍍上高反射率膜 (光柵的鍍膜)
離子源對(duì)工藝過程的優(yōu)化: 無(wú)需加熱襯底, 對(duì)溫度敏感材料進(jìn)行低溫處理, 簡(jiǎn)化反應(yīng)沉積

上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過使用美國(guó) KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級(jí)控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)KRi考夫曼離子源中國(guó)總代理.

上海伯東同時(shí)提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

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