e-beam 電子束蒸發系統加裝 KRi 離子源作用
通過向生長的薄膜中添加能量來增強分子動力學, 以增加表面和原子/分子的流動性, 從而導致薄膜的致密化.
通過向生長薄膜中添加活性離子來增強薄膜化合物的化學轉化, 從而得到化學計量完整材料.
使用美國 KRi 考夫曼離子源可以實現
增強和控制薄膜性能, 薄膜致密化的改進, 控制薄膜化學計量, 提高折射率, 降低薄膜應力, 控制薄膜微觀結構和方向, 提高薄膜溫度和環境穩定性, 增加薄膜附著力, 激活表面, 薄膜界面和表面平滑, 降低薄膜吸收和散射, 增加硬度和耐磨性.
KRi KDC 考夫曼離子源典型案例:
設備: e-beam 電子束蒸發系統
離子源型號: KDC 75
應用: IBAD 輔助鍍膜, 在玻璃上鍍上高反射率膜 (光柵的鍍膜)
離子源對工藝過程的優化: 無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進行低溫處理, 簡化反應沉積
上海伯東美國 KRi 離子源適用于各類沉積系統 (電子束蒸發或熱蒸發, 離子束濺射, 分子束外延, 脈沖激光沉積), 實現 IBAD 輔助鍍膜
美國 KRi KDC 考夫曼型離子源技術參數：
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型號 |
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Discharge 陽極 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
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離子束流 |
>10 mA |
>100 mA |
>250 mA |
>400 mA |
>650 mA |
|
離子動能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
1 cm Φ |
4 cm Φ |
7.5 cm Φ |
12 cm Φ |
16 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
1-5 sccm |
2-10 sccm |
2-15 sccm |
2-20 sccm |
2-30 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
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長度 |
11.5 cm |
17.1 cm |
20.1 cm |
23.5 cm |
25.2 cm |
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直徑 |
4 cm |
9 cm |
14 cm |
19.4 cm |
23.2 cm |
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中和器 |
燈絲 |
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上海伯東美國 KRi 離子源 KDC 系列適用于標準和新興材料工藝. 在原子水平上工作的能力使 KDC 離子源能夠有效地設計具有納米精度的薄膜和表面. 無論是密度壓實, 應力控制, 光學傳輸, 電阻率, 光滑表面, 提高附著力, 垂直側壁和臨界蝕刻深度, KDC 離子源都能產生有益的材料性能. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理
上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
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