* 可選: 可調(diào)角度的支架

KRi 考夫曼離子源 KDC 100 應(yīng)用領(lǐng)域：
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

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上海伯東: 葉小姐                                                臺灣伯東: 王小姐
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應(yīng)用案例

上海伯東針對不同客戶, 提供定制化解決方案并能與客戶攜手合作研發(fā)新的項目應(yīng)用

美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220 MEMS 探針光柵刻蝕應(yīng)用

高能量 22cm 柵極離子源, MEMS 探針光柵刻蝕, 材料為 Sio2 和金屬, 刻蝕均勻性 ±5%

KRi 直流磁控濺射電源應(yīng)用于金屬靶材濺射

KRi 直流磁控濺射電源應(yīng)用于金屬靶材濺射

KRi 考夫曼離子源應(yīng)用于離子束拋光工藝

KRi 考夫曼離子源應(yīng)用于光學(xué)鍍膜離子束拋光機及晶體硅片離子束拋光機.

KRi 考夫曼離子源常見真空應(yīng)用

離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝介紹

KRi 考夫曼離子源 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用

通過加熱燈絲產(chǎn)生電子, KDC 系列離子源增強設(shè)計輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實現(xiàn)輔助鍍膜 IBAD

KRi 考夫曼離子源 KDC 100 應(yīng)用于 IBE 離子束刻蝕機

應(yīng)用于刻蝕 2寸,4寸金屬和多層氧化物, 滿足客戶研發(fā)液晶功能材料及器件, 如光柵器件(透射式, 螺旋式和閃耀式光柵) 等要求.

KRi 考夫曼離子源表面預(yù)清潔 Pre-clean 應(yīng)用

離子源預(yù)清潔 Pre-clean 的工藝, 對基材表面有機物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等

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