上海伯東代理美國 KRi 考夫曼品牌離子源, 推出 RF2100ICP Plasma Source 射頻等離子體源及配套控制器, RF2100 等離子體放電, RFICP 在 2MHz, 電子自動匹配, 固定匹配網絡. 離子源 RF2100ICP 適用于預清潔, 氧化和氮化處理, 輔助沉積, 以及各類半導體材料, 磁性金屬等的制備.
KRi RF2100 ICP 射頻等離子體源特性
通過 RFICP 放電激活等離子體: 產生 100% O?, N? 反應等離子束
寬束發散等離子束(準中性): 大出口平面孔徑, 提高覆蓋范圍和均勻性
輸出低能量離子: 最大限度地減少襯底損壞
無提取柵網: 減少復雜性, 降低維護成本和潛在污染源
可靠的等離子點火電路: 專用電子源僅在等離子體啟動時開啟
離子源自動控制和調節: 自動排序和射頻阻抗匹配
無水冷卻: 消除真空中水泄漏的風險
適用于不同的轟擊距離: 一般為 15 至 45厘米
KRi RF2100 ICP 射頻等離子體源參數
|
Dishcharge |
電感耦合 |
|
RF discharge power |
600W |
|
輸出電流 |
> 500mA (取決于功率,壓力和氣體) |
|
通 Ar 能量范圍 |
5-50V (取決于功率和壓力) |
|
等離子尺寸@源打開 |
14cmφ |
|
離子束形狀 |
發散 |
|
點火 |
電子源 |
|
氣體 |
Ar, O?, N?, H?/Ar blend |
|
壓力 |
0.5-10mTorr (取決于氣體種類) |
|
氣體流量 |
5-60sccm (取決于抽速, 氣體, 壓力和功率) |
|
冷卻 |
無水冷卻 |
|
一般高度 |
9.25” (23.5cm) |
|
直徑 |
7.675” (19.5cm |
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
若您需要進一步的了解 KRi 離子源 詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式：
上海伯東: 葉小姐 臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 ) T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 ) M: +886-939-653-958
qq: 2821409400
現部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯絡上海伯東 葉小姐 1391-883-7267
上海伯東版權所有, 翻拷必究！
