工作范圍適用于低發(fā)射電流有利的應(yīng)用
模塊化結(jié)構(gòu)
"插座組件" 便于進(jìn)行快速維護(hù), 可輕松更換燈絲
發(fā)射電流調(diào)節(jié)
氣體流量: 持續(xù)供應(yīng) 6 立方厘米/分鐘的氬氣
維護(hù)成本低

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KRi 電子中和器 LFN 2000 非浸入式電子源

簡介

LFN 2000 安裝在離子源側(cè)面的非浸入式電子源
工作范圍適用于低發(fā)射電流有利的應(yīng)用
模塊化結(jié)構(gòu)
"插座組件" 便于進(jìn)行快速維護(hù), 可輕松更換燈絲
發(fā)射電流調(diào)節(jié)
氣體流量: 持續(xù)供應(yīng) 6 立方厘米/分鐘的氬氣
維護(hù)成本低

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技術(shù)規(guī)格

上海伯東美國 KRi 電子中和器 Electron Sources, 提供幾種類型的低能量高電流電子源. 電子源技術(shù)包含浸入式熱離子燈絲和非浸入式空心陰極發(fā)射器. 型號包含燈絲型中和器 Filament Neutralizer , 空心陰極中和器 Hollow Cathode Neutralizers, LFN2000, RFN3000,

通常, 這些電子源可以作為陰極和/或中和器與等離子體或離子源結(jié)合使用. 它們在惰性和反應(yīng)性氣體環(huán)境中的操作是標(biāo)準(zhǔn)的. 電子源的發(fā)射電流是用電流反饋回路測量和控制. 由于這種精確可靠的電子源, KRi 電子中和器成功地用于靜電敏感應(yīng)用和介電材料環(huán)境.

KRi 電子中和器安裝在材料處理環(huán)境中, 作為中和器集成到離子束源上, 或者可以集成到等離子體放電的電離過程中. 在其他應(yīng)用中, 可以與磁控管陰極一起安裝以調(diào)整濺射操作.

KRi 電子中和器 Electron Sources 功能
離子束中和: 射頻離子源, 考夫曼離子源, 霍爾離子源和陽極層源
等離子體產(chǎn)生中的電離: 射頻離子源, 考夫曼離子源, 霍爾離子源
在正偏置分析儀器中, 電中和
磁控濺射中增強的電子通量


主要型號

 

 

 

 

燈絲型中和器 Filament Neutralizer

空心陰極中和器 Hollow Cathode Neutralizers

RFN 3000

LFN 2000

一般用于陰極和/或中和器與等離子體或離子源結(jié)合使用

空心陰極是 KRi 提供的幾種低能量和高電流電子源之一.通常用作離子和等離子體束受控生產(chǎn)中的中和劑或陰極

通常安裝在材料加工環(huán)境中, 并在離子和等離子束的受控生產(chǎn)中用作中和劑或陰極

安裝在離子源側(cè)面的非浸入式電子源. 它的工作范圍適用于低發(fā)射電流有利的應(yīng)用


上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

若您需要進(jìn)一步的了解 KRi 離子源 詳細(xì)信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東: 葉小姐                                                 臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 )              T: +886-3-567-9508 ext 161
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應(yīng)用案例

上海伯東針對不同客戶, 提供定制化解決方案并能與客戶攜手合作研發(fā)新的項目應(yīng)用