上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 適用于離子束濺射沉積 IBSD, 離子輔助沉積 IBAD 和離子束刻蝕 IBE. 在離子束濺射工藝中, KRi 射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 標準型號的 RFICP 140 可以在離子能量為 100~1500 eV 范圍內獲得很高的離子密度. 可以輸出最大 600 mA 離子流.
KRi 射頻離子源 RFICP 140 技術參數:
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型號 |
RFICP 140 |
RFICP 140LO |
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陽極 |
電感耦合等離子體 |
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最大陽極功率 |
> 600W |
<600W |
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最大離子束流 |
> 500mA |
< 500mA |
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電壓范圍 |
100-1200V |
100-1200V |
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工藝氣體 |
惰性和反應性氣體 |
惰性和反應性氣體 |
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氣體流量 |
5-40sccm |
5-35sccm |
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壓力 |
< 0.5mTorr |
< 0.5mTorr |
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離子光學（自動對準） |
OptiBeam™ |
OptiBeam™ |
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柵網材質 |
鉬, 石墨 |
鉬, 石墨 |
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離子束流形狀 |
平行,聚焦,散射 |
平行,聚焦,散射 |
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中和器 |
非浸入式 LFN, MHC |
非浸入式 LFN, MHC |
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尺寸 |
直徑9.7” (24.6cm); 高 9.9” (25.1cm) |
直徑9.7” (24.6cm); 高 9.9” (25.1cm) |
KRi 射頻離子源 RFICP 140 應用領域：
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
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