KRi 離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應用
通常安裝兩個離子源
主要濺射沉積源和二次預清潔 / 離子輔助源
一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應性氣體
基板遠離濺射目標
工藝壓力在小于× 10-4 torr
KRi 離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應用
通常安裝兩個離子源
主要濺射沉積源和二次預清潔 / 離子輔助源
一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應性氣體
基板遠離濺射目標
工藝壓力在小于× 10-4 torr
離子源在離子束濺射沉積工藝過程:
上海伯東美國 KRi 射頻離子源優勢
提供致密, 光滑, 無針孔, 耐用的薄膜
遠離等離子體: 低基材溫度
不需要偏壓襯底
濺射任何材料, 不需要射頻濺射電源
非常適用于復雜, 精密的多層薄膜制備
清潔, 低污染工藝
沉積原子為堅硬, 耐用的薄膜保留濺射能量
離子能量, 離子電流密度的控制
優良的反應沉積工藝
美國 KRi RFICP 射頻離子源技術參數：
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型號 |
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Discharge 陽極 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
|
離子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
|
離子動能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
20 cm Φ |
30 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
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|
流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
|
長度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
|
直徑 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
|
中和器 |
LFN 2000 |
||||
上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理
上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
若您需要進一步的了解 KRi 離子源 詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式：
上海伯東: 葉小姐 臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 ) M: +886-939-653-958
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上海伯東版權所有, 翻拷必究！
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