上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 射頻離子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射頻離子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內(nèi). 離子源 RFICP 40 設(shè)計采用創(chuàng)新的柵極技術(shù)用于研發(fā)和開發(fā)應(yīng)用. 離子源 RFICP 40 無需電離燈絲設(shè)計, 適用于通氣氣體是活性氣體時的工業(yè)應(yīng)用. 標(biāo)準(zhǔn)配置下 RFICP 40 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.
KRI 射頻離子源 RFICP 40 技術(shù)參數(shù):
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型號 |
RFICP 40 |
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Discharge 陽極 |
RF 射頻 |
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離子束流 |
>100 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
4 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
3-10 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
12.7 cm |
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直徑 |
13.5 cm |
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中和器 |
LFN 2000 or RFN |
KRi 射頻離子源典型應(yīng)用：
預(yù)清洗 PC
表面改性
輔助鍍膜 (光學(xué)鍍膜 ) IBAD
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
KRi 射頻離子源 RFICP 40 客戶案例：
安裝于 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng), 進(jìn)行 IBAD 輔助鍍膜 (玻璃上鍍反射涂層).
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
若您需要進(jìn)一步的了解 KRi 離子源 詳細(xì)信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式：
上海伯東: 葉小姐 臺灣伯東: 王小姐
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