上海伯東美國 KRi 大口徑射頻離子源 RFICP 380, 3層柵極設計, 柵極口徑 38cm, 提供離子動能 100-1200eV 寬束離子束, 最大離子束流 > 1000mA, 滿足 300 mm (12英寸)晶圓應用. 廣泛應用于離子束刻蝕機.
KRi 射頻離子源 RFICP 380 特性
1. 放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術提供高密度離子, 工藝時間更長. 2kW & 1.8 MHz, 射頻自動匹配
2. 離子源結構模塊化設計
3. 離子光學, 自對準技術, 準直光束設計, 自動調節技術保障柵極的使用壽命和可重復的工藝運行
4. 全自動控制器
5. 離子束動能 100-1200eV
6. 柵極口徑 38cm, 滿足 300 mm (12英寸)晶圓應用
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射頻離子源 RFICP 380 技術規格:
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陽極 |
電感耦合等離子體 |
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最大陽極功率 |
>1kW |
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最大離子束流 |
> 1000mA |
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電壓范圍 |
100-1500V |
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離子束動能 |
100-1200eV |
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氣體 |
Ar, O2, N2,其他 |
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流量 |
5-50sccm |
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壓力 |
< 0.5mTorr |
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離子光學, 自對準 |
OptiBeamTM |
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離子束柵極 |
38cm Φ |
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柵極材質 |
鉬 |
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離子束流形狀 |
平行,聚焦,散射 |
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中和器 |
LFN 2000 or RFN |
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高度 |
38.1 cm |
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直徑 |
58.2 cm |
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鎖緊安裝法蘭 |
12”CF |
上海伯東美國考夫曼 KRI 大口徑射頻離子源 RFICP 220, RFICP 380 成功應用于 12英寸和 8英寸磁存儲器刻蝕機, 8英寸量產型金屬刻蝕機中, 實現 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蝕工藝, 適用于 IC, 微電子,光電子, MEMS 等領域.
作為蝕刻機的核心部件, KRI 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間更長, 滿足各種材料刻蝕需求!
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
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