真空環(huán)境下, KRi 射頻離子源通過向生長的薄膜中添加能量來增強(qiáng)分子動(dòng)力學(xué), 以增加表面和原子 / 分子的流動(dòng)性, 實(shí)現(xiàn)薄膜的致密化或通過向生長薄膜中添加活性離子來增強(qiáng)薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化, 從而得到需要的材料. 同時(shí) KRi 射頻離子源可以對(duì)工藝過程優(yōu)化, 無需加熱襯底, 對(duì)溫度敏感材料進(jìn)行低溫處理, 簡化反應(yīng)沉積.

上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220 : 高能量射頻離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 滿足 200 mm (8英寸) 晶圓應(yīng)用. 射頻離子源 RFICP 220 可以很好的控制離子束沉積或?yàn)R射靶材, 實(shí)現(xiàn)更佳的薄膜特性. 標(biāo)準(zhǔn)配置下RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 1000 mA.

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級(jí)控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.


上海伯東同時(shí)提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

若您需要進(jìn)一步的了解 KRi 射頻離子源 詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式：
上海伯東: 葉小姐                                                臺(tái)灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號(hào) )              M: +886-939-653-958


現(xiàn)部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯(lián)絡(luò)上海伯東 葉小姐 1391-883-7267
上海伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！

美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220 增強(qiáng)光學(xué)基片反射及透射率

推薦搭配

KRi 射頻離子源 RFICP 380

38cm 柵網(wǎng) RF 射頻離子源

KRi 射頻離子源 RFICP 220

22cm 柵網(wǎng) RF 射頻離子源

在線客服 · 咨詢 WEB 詢問表單 139-1883-7267 +86 21 5046 3511

官方微信服務(wù)號(hào)

開啟微信

在線客服

開啟客服視窗