作為蝕刻機的核心部件, KRI 射頻離子源提供高能量, 低濃度的離子束, 單次工藝時間更長, 滿足各種材料刻蝕需求! 實現刻蝕過渡金屬及非揮發性金屬的需求, 可處理晶圓尺寸最大 300 mm, 適用于磁性存儲器 MRAM 及磁傳感器的研發及生產.
RFICP 220, RFICP 380 射頻離子源

KRI 射頻離子源 RFICP 220, RFICP 380 技術參數:

型號

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 陽極

RF 射頻

RF 射頻

離子束流

>800 mA

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

20 cm Φ

38 cm Φ
大口徑射頻離子源

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

10-40 sccm

5-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

長度

30 cm

39 cm

直徑

41 cm

59 cm

中和器

LFN 2000


上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.

若您需要進一步的了解 KRi 離子源 詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式:
上海伯東: 葉小姐                                                 臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 )              M: +886-939-653-958

現部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯絡上海伯東 葉小姐 1391-883-7267
上海伯東版權所有, 翻拷必究!


KRi 射頻離子源應用于 12英寸和8英寸金屬蝕刻機中

上海伯東版權所有, 翻拷必究!

推薦搭配

一鍵分享

分享此頁

上海伯東版權所有, 翻拷必究!

更新 : 2026-01-27

閱讀數 : 234