KRi 離子源 6寸8寸 MEMS 晶圓蝕刻
離子源型號: RFICP 220, RFICP 140, 射頻頻率 2mhz, 射頻自動匹配, 不影響等離子體放電性能, 減少加熱, 故障和電磁干擾的風險.
刻蝕材料: 6寸或8寸 MEMS 電極刻蝕, 材料為 Au / Ti ; 鐵磁性多層膜蝕刻, 材料為 RU, Co, Fe, Pt, Ta.
工藝氣體: 惰性氣體, 一般通 Ar.
KRi 離子源 6寸8寸 MEMS 晶圓蝕刻

KRi 射頻離子源技術參數

型號

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 陽極

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

離子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

22 cm Φ

38 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

 

流量

3-10 sccm

5-30 sccm

5-30 sccm

10-40 sccm

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

長度

12.7 cm

23.5 cm

24.6 cm

30 cm

39 cm

直徑

13.5 cm

19.1 cm

24.6 cm

41 cm

59 cm

中和器

LFN 2000 or RFN


上海伯東美國 KRi RF 射頻離子源無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長!  提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.
美國 KRI 射頻離子源


上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. KRi 離子源在真空環境中實現薄膜沉積, 干式納米刻蝕和修改材料表面性能, 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.

 

上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.

若您需要進一步的了解 KRi 射頻離子源 詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式:
上海伯東: 葉小姐                                                臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 )              M: +886-939-653-958

現部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯絡上海伯東 葉小姐 1391-883-7267
上海伯東版權所有, 翻拷必究!

美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220 MEMS 晶圓蝕刻

上海伯東版權所有, 翻拷必究!

推薦搭配

一鍵分享

分享此頁

上海伯東版權所有, 翻拷必究!

更新 : 2025-12-15

閱讀數 : 607