上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 適用于離子束濺射沉積 IBSD, 離子輔助沉積 IBAD 和離子束刻蝕 IBE. 在離子束濺射工藝中, KRi 射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn)更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 標(biāo)準(zhǔn)型號的 RFICP 140 可以在離子能量為 100~1500 eV 范圍內(nèi)獲得很高的離子密度. 可以輸出最大 600 mA 離子流.
KRi 射頻離子源 RFICP 140 技術(shù)參數(shù):
|
型號 |
RFICP 140 |
RFICP 140LO |
|
陽極 |
電感耦合等離子體 |
|
|
最大陽極功率 |
> 600W |
<600W |
|
最大離子束流 |
> 500mA |
< 500mA |
|
電壓范圍 |
100-1200V |
100-1200V |
|
工藝氣體 |
惰性和反應(yīng)性氣體 |
惰性和反應(yīng)性氣體 |
|
氣體流量 |
5-40sccm |
5-35sccm |
|
壓力 |
< 0.5mTorr |
< 0.5mTorr |
|
離子光學(xué)(自動對準(zhǔn)) |
OptiBeam™ |
OptiBeam™ |
|
柵網(wǎng)材質(zhì) |
鉬, 石墨 |
鉬, 石墨 |
|
離子束流形狀 |
平行,聚焦,散射 |
平行,聚焦,散射 |
|
中和器 |
非浸入式 LFN, MHC |
非浸入式 LFN, MHC |
|
尺寸 |
直徑9.7” (24.6cm); 高 9.9” (25.1cm) |
直徑9.7” (24.6cm); 高 9.9” (25.1cm) |
KRi 射頻離子源 RFICP 140 應(yīng)用領(lǐng)域:
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
若您需要進(jìn)一步的了解 KRi 離子源 詳細(xì)信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東: 葉小姐 臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 ) M: +886-939-653-958
現(xiàn)部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯(lián)絡(luò)上海伯東 葉小姐 1391-883-7267
上海伯東版權(quán)所有, 翻拷必究!