最小電弧能量:能量:<1mJ : 減少基材和目標的損壞, 減少粒子生成, 增加沉積時間
從 25 到 1500W 穩定的輸出功率
電壓, 電流和功率調節模式
可調運行定時器, 可調功率斜坡
配方存儲多達 7個單獨的目標
KWHr 計數器時間限制
緊湊設計: 僅需一個單元
0-1000V 和 0.4A 工作范圍: 滿額定功率可適用于大阻抗范圍
大阻抗范圍: 不需要在整個范圍內更換變壓器分接
可調電弧處理參數: 后電弧檢測延遲時間; 重新啟動前的電弧檢測輸出斷開時間
弧度計數器: 目標條件和工藝環境的指示

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KRi 直流磁控濺射電源 低壓直流電源 0-1000 V

簡介

真正的電弧檢測和抑制: <100 nsec 電弧檢測
最小電弧能量:能量:<1mJ : 減少基材和目標的損壞, 減少粒子生成, 增加沉積時間
從 25 到 1500W 穩定的輸出功率
電壓, 電流和功率調節模式
可調運行定時器, 可調功率斜坡
配方存儲多達 7個單獨的目標
KWHr 計數器時間限制
緊湊設計: 僅需一個單元
0-1000V 和 0.4A 工作范圍: 滿額定功率可適用于大阻抗范圍
大阻抗范圍: 不需要在整個范圍內更換變壓器分接
可調電弧處理參數: 后電弧檢測延遲時間; 重新啟動前的電弧檢測輸出斷開時間
弧度計數器: 目標條件和工藝環境的指示

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技術規格

上海伯東代理美國 KRi 直流磁控濺射電源適用于各品牌磁控濺射鍍膜機, 低壓直流電源 0-1000 V, 穩定的控制磁控濺射陰極. 真正的電弧檢測和抑制. KRi 直流磁控濺射電源可以減少基材和目標的損壞, 增加沉積時間.
KRi 直流磁控濺射電源

KRi 直流磁控濺射電源特點:
真正的電弧檢測和抑制: <100 nsec 電弧檢測
最小電弧能量:能量:<1mJ : 減少基材和目標的損壞, 減少粒子生成, 增加沉積時間
從 25 到 1500W 穩定的輸出功率
電壓, 電流和功率調節模式
可調運行定時器, 可調功率斜坡
配方存儲多達 7個單獨的目標
KWHr 計數器時間限制
緊湊設計: 僅需一個單元
0-1000V 和 0.4A 工作范圍: 滿額定功率可適用于大阻抗范圍
大阻抗范圍: 不需要在整個范圍內更換變壓器分接
可調電弧處理參數: 后電弧檢測延遲時間; 重新啟動前的電弧檢測輸出斷開時間
弧度計數器: 目標條件和工藝環境的指示

KRi 直流磁控濺射電源參數:

產品

KRI 直流磁控濺射電源 1.5kW

型號

標準型

輸入功率

50-60 Hz / singleФ/ 100-240 VAC

全功率阻抗范圍

1:7 (94-667 ohms)

最大 V/I

1000V / 4A

點火 V

1000V

輸出連接器

HN

認證

CE & NRTL

電弧抑制

電弧能量

< 1mJ

弧度計數器

尺寸: 高X寬X深

4.44 X 48.3 X 50 cm

重量

8.2 kg

遠程控制

analog & RS 232


提供三種規格滿足不同的濺射應用

規格

最大 V/I

KRI 直流磁控濺射電源 1.5kW

1000V, 4A

KRI 直流磁控濺射電源 1.0kW

1000V, 3A

KRI 直流磁控濺射電源 0.5kW

1000V ,2A



KRi 直流磁控濺射電源

KRi 直流磁控濺射電源典型應用
金屬磁控濺射,  反應膜層濺射

KRi 直流磁控濺射電源

上海伯東美國 KRi 提供的離子源模塊化電源控制器, 可以操作各種離子, 等離子體和電子源, 用于在等離子體處理中, 輸出穩定和可重復功率的動態負載. 可以在惡劣的環境中正常運轉, 易于系統集成.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

應用案例

上海伯東針對不同客戶, 提供定制化解決方案并能與客戶攜手合作研發新的項目應用