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金屬靶材濺射過(guò)程電弧抑制應(yīng)用
3" Ф 磁控管陰極, 反應(yīng)濺射鋁金屬靶: Ar / 02 氣體混合物

KRi 直流磁控濺射電源消弧技術(shù):
弧檢測(cè) <100 nsec 弧線(xiàn)檢測(cè)
電弧處理參數(shù)可調(diào): 弧后檢測(cè)延遲時(shí)間, 重新啟動(dòng)前弧后檢測(cè)輸出關(guān)閉時(shí)間
最小電弧能量:< 1mJ, 減少基材和目標(biāo)損壞, 減少粒子生成, 增加沉積時(shí)間
弧度計(jì)數(shù)器: 目標(biāo)條件和工藝環(huán)境的指示
KRi 直流磁控濺射電源應(yīng)用于金屬靶材濺射

KRi 直流磁控濺射電源應(yīng)用于金屬靶材濺射

KRi 直流磁控濺射電源應(yīng)用于金屬靶材濺射

金屬靶材濺射是一種應(yīng)用于材料制備和表面處理的工藝, 電源不僅影響濺射效率, 還直接關(guān)系到濺射過(guò)程的穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量. 上海伯東美國(guó) KRi 離子源多年研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn), 為各類(lèi)濺射鍍膜機(jī)提供合適的直流濺射電源和鍍膜離子源.

上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源適用于各類(lèi)真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過(guò)使用美國(guó) KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級(jí)控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)KRi考夫曼離子源中國(guó)總代理.

上海伯東同時(shí)提供各類(lèi)真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶(hù)生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

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