KRi 霍爾離子源 EH 1000 客戶案例
高真空電子束蒸發設備選配上海伯東美國 KRi 霍爾離子源 EH 1000 實現晶圓的預清洗, 在高真空和超高真空環境下實現精確的多層薄膜制備(4英寸的氧化膜沉積). 滿足高校及企業研發和小規模生產場合.

通過使用 KRI 離子源在沉積前用離子轟擊基材表面, 進行預清潔 Pre-clean 的工藝, 對基材表面有機物清洗, 金屬氧化物的去除等, 可以提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等！

使用 KRi 離子源預清潔可以實現
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳氫化合物殘留
去除化學吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100Å

KRi 霍爾離子源 eH 1000 技術參數

型號	eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO
供電	DC magnetic confinement
- 電壓	40-300V VDC
- 離子源直徑	~ 5 cm
- 陽極結構	模塊化
電源控制	eHx-30010A
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 離子束發散角度	> 45° (hwhm)
- 陽極	標準或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移動或快接法蘭
- 高度	4.0'
- 直徑	5.7'
- 加工材料	金屬電介質半導體
- 工藝氣體	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安裝距離	10-36”
- 自動控制	控制4種氣體

* 可選: 可調角度的支架; Sidewinder

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.

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