離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD
考夫曼離子源 KDC 40 中心到基片中心距離控制在 300mm, 離子源和基片都設計為高度可調節, 客戶可根據不同的工藝要求選擇合適的角度. 離子源上面做可聯動控制的蓋板, 在離子源剛啟動時關閉蓋板, 待離子束流穩定后打開蓋板, 對基片做預清潔和輔助鍍膜等工藝, 保證工藝的穩定性和均勻性. 當工藝完成后可以技術關閉蓋板, 保證離子源不被污染, 延長離子源使用壽命, 降低保養成本.
考夫曼離子源 IBAD 輔助鍍膜

KRi 離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳氫化合物殘留
去除化學吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100Å

KRi 離子源輔助鍍膜 IBAD
通過向生長的薄膜中添加能量來增強分子動力學, 以增加表面和原子/分子的流動性, 從而導致薄膜的致密化.
通過向生長薄膜中添加活性離子來增強薄膜化合物的化學轉化, 從而得到化學計量完整材料.

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.

型號	KDC 40
供電	DC magnetic confinement
- 陰極燈絲	1
- 陽極電壓	0-100V DC
電子束	OptiBeam™
- 柵極	專用, 自對準
-柵極直徑	4 cm
中和器	燈絲
電源控制	KSC 1202
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000
- 架構	移動或快速法蘭
- 高度	6.75'
- 直徑	3.5'
- 離子束	聚集, 平行, 散射
-加工材料	金屬, 電介質, 半導體
-工藝氣體	惰性, 活性, 混合
-安裝距離	6-18”
- 自動控制	控制4種氣體

* 可選: 可調角度的支架

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 通過加熱燈絲產生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強設計輸出低電流高能量寬束型離子束, 適用于標準和新興材料工藝. 在原子水平上工作的能力使 KDC 離子源能夠有效地設計具有納米精度的薄膜和表面. 無論是密度壓實, 應力控制, 光學傳輸, 電阻率, 光滑表面, 提高附著力, 垂直側壁和臨界蝕刻深度, KDC 離子源都能產生有益的材料性能. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.

KRI 考夫曼離子源 KDC

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.

若您需要進一步的了解 KRi 離子源 詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式：
上海伯東: 葉小姐臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 ) M: +886-939-653-958

現部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯絡上海伯東葉小姐 1391-883-7267
上海伯東版權所有, 翻拷必究！