KRi 高電流霍爾離子源 eH 2000 又獲精密光學鍍膜訂單
eH 2000 霍爾離子源在光學鍍膜機中, 制程前做清潔, 6寸芯片的預清洗, 輸出穩定的高電流離子束流, 后續在高真空和超高真空環境下實現精確的多層薄膜制備, 滿足客戶需求.
KRi 高電流霍爾離子源 eH 2000 應用優勢
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A (根據工藝可選)
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體
可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 最大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD效率
兼容 Load lock / 超高真空系統; 安裝方便
高效的等離子體轉換和穩定的功率控制
與射頻離子源對比, 成本更低
水冷方式有助于降低襯底溫度,可適用于塑膠襯底
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
了解詳情上海伯東: 葉女士 13918837267 ( 微信同號 )
