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KRi 高電流霍爾離子源 eH 2000 又獲精密光學(xué)鍍膜訂單
eH 2000 霍爾離子源在光學(xué)鍍膜機中, 制程前做清潔, 6寸芯片的預(yù)清洗, 輸出穩(wěn)定的高電流離子束流, 后續(xù)在高真空和超高真空環(huán)境下實現(xiàn)精確的多層薄膜制備, 滿足客戶需求.
美國 KRi 高電流霍爾離子源 eH 2000

KRi 高電流霍爾離子源 eH 2000 應(yīng)用優(yōu)勢
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A (根據(jù)工藝可選)
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體
可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 最大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD效率
兼容 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便
高效的等離子體轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制
與射頻離子源對比, 成本更低
水冷方式有助于降低襯底溫度,可適用于塑膠襯底
美國 KRi 高電流霍爾離子源 eH 2000

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

了解詳情上海伯東: 葉女士 13918837267 ( 微信同號 )

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