3. 離子源條件: Vb: 140V ( 離子束陽極電壓 ), Ib: 2.5A (離子束陽極電流), O2 gas: 9sccm (氧氣).

美國 KRi 霍爾離子源全自動匹配, 四組參數(shù)記憶, 可同時控制四種氣體流量的設計, 可以提供更方便的操作及獲得更穩(wěn)定的離子束. KRI 霍爾源控制器可以替換 Veeco Commonwealth 控制器!
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產品, 協(xié)助客戶生產研發(fā)高質量的真空系統(tǒng).
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上海伯東版權所有, 翻拷必究!
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