離子束刻蝕機真空腔體主要部件如下圖所示, 主要是離子源, 運動臺和晶圓支架. 因刻蝕晶圓直徑比較小,推薦使用低成本高效能的美國 KRi 小型號考夫曼離子源 KDC 10, 離子源底座安裝設計為可移動, 進行刻蝕工藝時, 工藝氣體氬氣, 通過離子源發出一個圓形的自對準聚焦離子束, 離子束移動, 而晶圓保持固定. 這種設計節省了腔室和整個系統的空間.
美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 10 硅片刻蝕應用

美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 10 主要參數
KDC 10 是 KRi 柵極型離子源 Gridded 系列最小的型號.非常適合安裝在較小的真空系統中進行預清洗, 離子束濺射和離子蝕刻工藝. 在 <1000eV 低能量下, 通 Ar 氬氣時離子蝕刻的能力顯著提高. KDC 10 離子源低損傷, 寬束設計, 低成本高效能等優點廣泛應用在顯微鏡樣品制備領域, 標準配置下 KDC 10 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 10mA.

型號	KDC 10
供電	DC magnetic confinement
- 陰極燈絲	1
- 陽極電壓	0-100V DC
- 柵極直徑	1cm
中和器	燈絲
電源控制	KSC 1202
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000
- 架構	移動或快速法蘭
- 高度	4.5'
- 直徑	1.52'
- 離子束	聚焦平行散射
-加工材料	金屬電介質半導體
-工藝氣體	惰性活性混合
-安裝距離	2-12”
- 自動控制	控制4種氣體

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.

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