在進(jìn)行鍍膜等工藝前, 對(duì)原樣品的表面平整度, 潔凈程度等參數(shù)會(huì)有不同的要求. 對(duì)于不達(dá)標(biāo)的樣品需要進(jìn)行前處理, KRI 霍爾離子源可以很好的解決這類的問(wèn)題.

KRI 離子源清洗在真空室中進(jìn)行, 基板表面清潔后可以立即沉積, 短停留時(shí)間暴露于真空背景清潔并活化基材表面比輝光放電更清潔, 生產(chǎn)率更高; 無(wú)需基板偏置, 無(wú)需高壓, 消除了大多數(shù)腔室壁的濺射, 沒(méi)有額外的抽空, 很好地提高了整體工藝的效率與質(zhì)量.

KRI 霍爾離子源清洗樣品示意圖:

上海伯東 KRI 霍爾離子源可以在低功耗的情況下進(jìn)行大電流的工作, 很好的處理樣品的清潔度和平整度.可以根據(jù)不同的工藝要求來(lái)控制樣品表面的光滑 / 粗糙程度. 一致且可靠地去除表面污染物, 以暴露原始基材, 達(dá)到清洗前處理的作用, 穩(wěn)定工藝并提高產(chǎn)品產(chǎn)量.

型號(hào)	eH 400	eH 1000	eH 2000	eH 3000	eH Linear
中和器	F or HC	F or HC	F or HC	F or HC	F
陽(yáng)極電壓	50-300 V	50-300 V	50-300 V	50-250 V	50-300 V
離子束流	5A	10A	10A	20A	根據(jù)實(shí)際應(yīng)用
散射角度	>45	>45	>45	>45	>45
氣體流量	2-25 sccm	2-50 sccm	2-75 sccm	5-100 sccm	根據(jù)實(shí)際應(yīng)用
本體高度	3.0“	4.0“	4.0“	6.0“	根據(jù)實(shí)際應(yīng)用
直徑	3.7“	5.7“	5.7“	9.7“	根據(jù)實(shí)際應(yīng)用
水冷	可選	可選	是	可選	根據(jù)實(shí)際應(yīng)用

上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過(guò)使用美國(guó) KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級(jí)控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)KRi考夫曼離子源中國(guó)總代理.

上海伯東同時(shí)提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

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