在進行鍍膜等工藝前, 對原樣品的表面平整度, 潔凈程度等參數會有不同的要求. 對于不達標的樣品需要進行前處理, KRI 霍爾離子源可以很好的解決這類的問題.

KRI 離子源清洗在真空室中進行, 基板表面清潔后可以立即沉積, 短停留時間暴露于真空背景清潔并活化基材表面比輝光放電更清潔, 生產率更高; 無需基板偏置, 無需高壓, 消除了大多數腔室壁的濺射, 沒有額外的抽空, 很好地提高了整體工藝的效率與質量.

KRI 霍爾離子源清洗樣品示意圖:

上海伯東 KRI 霍爾離子源可以在低功耗的情況下進行大電流的工作, 很好的處理樣品的清潔度和平整度.可以根據不同的工藝要求來控制樣品表面的光滑 / 粗糙程度. 一致且可靠地去除表面污染物, 以暴露原始基材, 達到清洗前處理的作用, 穩定工藝并提高產品產量.

型號	eH 400	eH 1000	eH 2000	eH 3000	eH Linear
中和器	F or HC	F or HC	F or HC	F or HC	F
陽極電壓	50-300 V	50-300 V	50-300 V	50-250 V	50-300 V
離子束流	5A	10A	10A	20A	根據實際應用
散射角度	>45	>45	>45	>45	>45
氣體流量	2-25 sccm	2-50 sccm	2-75 sccm	5-100 sccm	根據實際應用
本體高度	3.0“	4.0“	4.0“	6.0“	根據實際應用
直徑	3.7“	5.7“	5.7“	9.7“	根據實際應用
水冷	可選	可選	是	可選	根據實際應用

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.

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