離子源鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD
考夫曼離子源 KDC 40 中心到基片中心距離控制在 300mm, 離子源和基片都設(shè)計(jì)為高度可調(diào)節(jié), 客戶可根據(jù)不同的工藝要求選擇合適的角度. 可以覆蓋2寸及以下的尺寸. 離子源上面做可聯(lián)動(dòng)控制的蓋板, 在離子源剛啟動(dòng)時(shí)關(guān)閉蓋板, 待離子束流穩(wěn)定后打開(kāi)蓋板, 對(duì)基片做預(yù)清潔和輔助鍍膜等工藝, 保證工藝的穩(wěn)定性和均勻性. 當(dāng)工藝完成后可以技術(shù)關(guān)閉蓋板, 保證離子源不被污染, 延長(zhǎng)離子源使用壽命, 降低保養(yǎng)成本.

KRi 離子源鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean + 氧化物刻蝕 Etching
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳?xì)浠衔餁埩?br /> 去除化學(xué)吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100Å
氧化物刻蝕 Etching: 刻蝕去除基板表面氧化物
美國(guó)KRi考夫曼離子源 KDC 40
KRi 離子源輔助鍍膜 IBAD
通過(guò)向生長(zhǎng)的薄膜中添加能量來(lái)增強(qiáng)分子動(dòng)力學(xué), 以增加表面和原子/分子的流動(dòng)性, 從而導(dǎo)致薄膜的致密化.
通過(guò)向生長(zhǎng)薄膜中添加活性離子來(lái)增強(qiáng)薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化, 從而得到化學(xué)計(jì)量完整材料.

上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預(yù)清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮?dú)? 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 120 mA.

型號(hào)

KDC 40

供電

DC magnetic confinement

 - 陰極燈絲

1

 - 陽(yáng)極電壓

0-100V DC

電子束

OptiBeam™

 - 柵極

專用, 自對(duì)準(zhǔn)

 -柵極直徑

4 cm

中和器

燈絲

電源控制

KSC 1202

配置

-

 - 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 1000

 - 架構(gòu)

移動(dòng)或快速法蘭

 - 高度

6.75'

 - 直徑

3.5'

 - 離子束

聚集, 平行, 散射

 -加工材料

金屬, 電介質(zhì), 半導(dǎo)體

 -工藝氣體

惰性, 活性, 混合

 -安裝距離

6-18”

 - 自動(dòng)控制

控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架

上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 通過(guò)加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強(qiáng)設(shè)計(jì)輸出低電流高能量寬束型離子束, 適用于標(biāo)準(zhǔn)和新興材料工藝. 在原子水平上工作的能力使 KDC 離子源能夠有效地設(shè)計(jì)具有納米精度的薄膜和表面. 無(wú)論是密度壓實(shí), 應(yīng)力控制, 光學(xué)傳輸, 電阻率, 光滑表面, 提高附著力, 垂直側(cè)壁和臨界蝕刻深度, KDC 離子源都能產(chǎn)生有益的材料性能. 上海伯東是美國(guó) KRi 離子源中國(guó)總代理.

美國(guó) KRI 考夫曼離子源

上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過(guò)使用美國(guó) KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級(jí)控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源霍爾離子源射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)KRi考夫曼離子源中國(guó)總代理.

上海伯東同時(shí)提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵真空規(guī)高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

若您需要進(jìn)一步的了解 KRi 離子源 詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東: 葉小姐                                                臺(tái)灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號(hào) )              M: +886-939-653-958

現(xiàn)部分品牌誠(chéng)招合作代理商, 有意向者歡迎聯(lián)絡(luò)上海伯東 葉小姐 1391-883-7267
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美國(guó) KRi 考夫曼離子源  KDC 40 在磁控濺射鍍膜機(jī)中的應(yīng)用

 

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更新 : 2026-05-11

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