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型號(hào) |
KDC 40 |
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供電 |
DC magnetic confinement |
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- 陰極燈絲 |
1 |
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- 陽(yáng)極電壓 |
0-100V DC |
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電子束 |
OptiBeam™ |
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- 柵極 |
專用, 自對(duì)準(zhǔn) |
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-柵極直徑 |
4 cm |
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中和器 |
燈絲 |
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電源控制 |
KSC 1202 |
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配置 |
- |
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- 陰極中和器 |
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 |
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- 架構(gòu) |
移動(dòng)或快速法蘭 |
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- 高度 |
6.75' |
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- 直徑 |
3.5' |
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- 離子束 |
聚集, 平行, 散射 |
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-加工材料 |
金屬, 電介質(zhì), 半導(dǎo)體 |
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-工藝氣體 |
惰性, 活性, 混合 |
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-安裝距離 |
6-18” |
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- 自動(dòng)控制 |
控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 通過(guò)加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強(qiáng)設(shè)計(jì)輸出低電流高能量寬束型離子束, 適用于標(biāo)準(zhǔn)和新興材料工藝. 在原子水平上工作的能力使 KDC 離子源能夠有效地設(shè)計(jì)具有納米精度的薄膜和表面. 無(wú)論是密度壓實(shí), 應(yīng)力控制, 光學(xué)傳輸, 電阻率, 光滑表面, 提高附著力, 垂直側(cè)壁和臨界蝕刻深度, KDC 離子源都能產(chǎn)生有益的材料性能. 上海伯東是美國(guó) KRi 離子源中國(guó)總代理.

上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過(guò)使用美國(guó) KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級(jí)控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)KRi考夫曼離子源中國(guó)總代理.
上海伯東同時(shí)提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
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美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 40 在磁控濺射鍍膜機(jī)中的應(yīng)用
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