上海伯東真空濺射鍍膜機離子源改造方案:
根據(jù)客戶 4寸基材和工藝條件, 推薦選用射頻離子源 RFICP 100, 配置中和器 (LFN) 和自動控制器, 替換國產(chǎn)離子源后可以長時間工作( 時長＞100h)！
1. 設備: 國產(chǎn)離子束濺射鍍膜機 IBSD
2. 基材: 4寸 wafer, 鍍鉭 Ta 單層非晶薄膜
3. 美國 KRi 射頻離子源 RFICP 100, 氣體：Ar gas
4. 離子源條件: V_{b max}:1200V ( 離子束電壓 ), I_{b max}:＞400mA ( 離子束電流 )

上海伯東射頻離子源 RFICP 100 主要技術規(guī)格:
小尺寸設計但是可以輸出 >400 mA 離子流.

射頻功率	600W
離子束電流	> 400mA
離子束電壓	100-1200eV
氣體	Ar, O2, N2,其他
流量	5-20 sccm
工作壓力	< 0.5mTorr
離子束柵極	10cm Φ
柵極材質(zhì)	鉬, 石墨
離子束流形狀	平行,聚焦,散射
中和器	LFN 2000
高度	23.5 cm
直徑	19.1 cm
安裝法蘭	10”CF 或內(nèi)置型 1”引入端子

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

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