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KRi 射頻離子源 RFICP 220 IBAD 輔助鍍膜
加裝上海伯東美國 KRi 射頻離子源進行 IBAD 輔助鍍膜工藝旨在滿足客戶對紅外, 深紫外甚至極端波長范圍嚴苛的規格要求. 鍍膜種類包括用于截止濾光片 (短通和長通), UV 和 IR 截止濾光片, 負濾光片和窄帶濾光片, 二色性彩色濾光片和偏振分光器, 用于激光器的 AR 和 HR 鍍膜等. 加裝后的精密光學鍍膜機典型應用: 光學濾波器批量生產. 針對深紫外 DUV 到可見光譜 VIS 和紅外 IR 光譜范圍的應用.

真空環境下, KRi 射頻離子源通過向生長的薄膜中添加能量來增強分子動力學, 以增加表面和原子 / 分子的流動性, 實現薄膜的致密化或通過向生長薄膜中添加活性離子來增強薄膜化合物的化學轉化, 從而得到需要的材料. 同時 KRi 射頻離子源可以對工藝過程優化, 無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進行低溫處理, 簡化反應沉積, 鍍膜品質均勻且牢固.

輔助鍍膜 KRi 離子源

KRi 射頻離子源 RFICP 220 基本規格
射頻離子源 RFICP 220 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.

陽極	電感耦合等離子體 2kW & 2 MHz 射頻自動匹配
最大陽極功率	>1kW
最大離子束流	> 1000mA
電壓范圍	100-1200V
離子束動能	100-1200eV
氣體	Ar, O2, N2, 其他
流量	5-50 sccm
壓力	< 0.5mTorr
離子光學, 自對準	OptiBeamTM
離子束柵極	22cm Φ
柵極材質	鉬
離子束流形狀	平行,聚焦,散射
中和器	LFN 2000 or RFN
高度	30 cm
直徑	41 cm
鎖緊安裝法蘭	10”CF

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.

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