KRi RFICP 220 三層?xùn)啪W(wǎng)射頻離子源適


KRi RFICP 220 三層?xùn)啪W(wǎng)射頻離子源 8寸金屬刻蝕機(jī)應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
直徑 22cm 射頻離子源, 無(wú)需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束
射頻頻率 2mhz, 射頻自動(dòng)匹配
三層?xùn)啪W(wǎng)設(shè)計(jì)
刻蝕材料: 包括并不限于硅, 石英, Ⅲ-Ⅴ族化合物, 合金, 陶瓷等
刻蝕均勻性: ±5%

KRi RFICP 220 射頻離子源基本參數(shù):

陽(yáng)極

電感耦合等離子體
2kW & 2 MHz
射頻自動(dòng)匹配

最大陽(yáng)極功率

>1kW

最大離子束流

> 1000mA

電壓范圍

100-1200V

離子束動(dòng)能

100-1200eV

氣體

Ar, O2, N2, 其他

流量

5-50 sccm

壓力

< 0.5mTorr

離子光學(xué), 自對(duì)準(zhǔn)

OptiBeamTM

離子束柵極

22cm Φ

柵極材質(zhì)

鉬

離子束流形狀

平行,聚焦,散射

中和器

LFN 2000 or RFN

高度

30 cm

直徑

41 cm

鎖緊安裝法蘭

10”CF


上海伯東美國(guó) KRi RF 射頻離子源無(wú)需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過(guò)柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時(shí)間更長(zhǎng)!  提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應(yīng)器, 中和器, 自動(dòng)控制器等. 適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.
KRi 射頻離子源 RFICP


上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過(guò)使用美國(guó) KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級(jí)控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)KRi考夫曼離子源中國(guó)總代理.

上海伯東同時(shí)提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

若您需要進(jìn)一步的了解 KRi 離子源 詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
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KRi RFICP 220 三層?xùn)啪W(wǎng)射頻離子源適用于 8寸金屬刻蝕機(jī)

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更新 : 2026-01-27

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