上海伯東美國 KRi RF 射頻離子源無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.
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陽極 |
電感耦合等離子體 |
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最大陽極功率 |
>1kW |
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最大離子束流 |
> 1000mA |
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電壓范圍 |
100-1200V |
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離子束動能 |
100-1200eV |
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氣體 |
Ar, O2, N2, 其他 |
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流量 |
5-50 sccm |
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壓力 |
< 0.5mTorr |
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離子光學, 自對準 |
OptiBeamTM |
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離子束柵極 |
22cm Φ |
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柵極材質 |
鉬 |
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離子束流形狀 |
平行,聚焦,散射 |
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中和器 |
LFN 2000 or RFN |
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高度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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鎖緊安裝法蘭 |
10”CF |
上海伯東美國 KRi RF 射頻離子源無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
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上海伯東: 葉小姐 臺灣伯東: 王小姐
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