45?,及高解離率獲得高密度的離子濃度,在6寸硅片電源管理集成電路芯片PMIC 的壓電材料鍍膜前將硅片做清潔及平整化處理,提高膜層的附著力及提高生產(chǎn)良率">
電源管理集成電路芯片鍍膜時(shí)常用的材料, 例如: 鈮酸鋰 LiNbO3 , 鈦酸鋇 BaTi03 , 鋯鈦酸鉛 PTZ, 氧化鋅 ZnO , 氮化鋁 AiN … 膜層與硅片會(huì)有脫膜及電性阻抗問題. 美國 KRI 霍爾離子源有廣角的涵蓋面積 >45?, 及高解離率獲得高密度的離子濃度, 在電源管理集成電路芯片 PMIC 的壓電材料鍍膜前將硅片做清潔及平整化處理, 提高膜層的附著力及提高生產(chǎn)良率.

電源管理集成電路芯片 PMIC 濺鍍鍍膜前預(yù)清潔工藝
設(shè)備: 5只靶材復(fù)合性濺鍍機(jī)
基材: 6 存硅片
真空系統(tǒng): 上海伯東美國 HVA 高真空插板閥 + 伯東 Pfeiffer 全磁浮分子泵
KRi 霍爾離子源: EH 400F
預(yù)清潔工藝離子源條件: Vd:120V (離子束陽極電壓), Id:3.5A (離子束陽極電流), Ar gas: 20sccm (氬氣).
KRi 霍爾離子源 EH400

腔體中 KRi 霍爾離子源 EH 400 本體, 工作條件: Vd:120V, Id:3.5A, Ar:20sccm

上海伯東美國 KRi 霍爾源可依客戶鍍膜機(jī)尺寸, 基材尺寸, 工藝條件選擇適合型號

型號	eH 400	eH 1000	eH 2000	eH 3000
中和器	F or HC	F or HC	F or HC	F or HC
離子束陽極電壓	50-300 V	50-300 V	50-300 V	50-250 V
離子束陽極電流	5A	10A	10A	20A
散射角度	>45	>45	>45	>45
氣體流量	2-25 sccm	2-50 sccm	2-75 sccm	5-100 sccm
本體高度	3.0“	4.0“	4.0“	6.0“
直徑	3.7“	5.7“	5.7“	9.7“
水冷	可選	可選	是	可選

F = Filament; HC = Hollow Cathode;

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時(shí)提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

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