離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其核心部件為離子源. 作為蝕刻機的核心部件, KRi 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的寬束離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間更長, 滿足各種材料刻蝕需求!
KRi 射頻離子源 RFICP 220 IBE 離子束刻蝕

客戶案例: 12英寸 IBE 離子束蝕刻機安裝 KRi 射頻離子源
KRi 離子源工作過程: 氣體通入離子源的放電室中, 電離產生均勻的等離子體, IBE系統由離子源的柵極將正離子引出并加速, 然后由中和器進行中和. 利用引出的帶有一定動能的離子束流撞擊樣品表面, 通過物理濺射將材料除去, 進而獲得刻蝕圖形. 這一過程屬于純物理過程, 一般運行在較高的真空度下.
KRi 射頻離子源 RFICP 220 IBE 離子束刻蝕

由于等離子體的產生遠離晶圓空間, 起輝不受非揮發性副產物的影響.
這種物理方案, 柵網拉出的離子束的能量和密度可以獨立控制, 提升了工藝可控性
通過載片臺的角度調整, 實現離子束傾斜入射, 可用于特殊圖案的刻蝕, 也適用于側壁清洗等工藝.
蝕刻多層時不需要化學優化, 一般工藝通氬氣, 也可通活性氣體.
KRi 射頻離子源 RFICP 220 IBE 離子束刻蝕

KRi 射頻離子源 RFICP 系列技術參數:

型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 陽極	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻 2kw & 1.9 ± 0.2 MHz	RF 射頻 2kw & 1.8 MHz
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.

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