KRi 考夫曼離子源 KDC 40 高真空雙腔系統應用案例
某客戶采用線性級聯技術, 集成了進樣/預處理, IBE 離子束刻蝕, E-beam 電子束蒸發鍍膜以及氧化四個腔室. 其中離子源 KDC 40 應用于 IBE 刻蝕腔內, 協助研發高質量的超導器件.

考夫曼離子源 KDC 40 用于 IBE 離子束刻蝕
KRI 離子源

KDC 40 也適用于 E-beam 電子束蒸發腔, 用于輔助鍍膜.
KRI 考夫曼離子源

上海伯東美國 KRi 離子源 KDC 40 是柵網直徑為 4cm 的直流考夫曼離子源,  通過加熱燈絲產生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 提供低濃度高能量寬束型離子束. KRi KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量范圍 65 至 1200ev, 離子電流可以超過 140 mA.
 

型號

KDC 40

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40

陽極

DC 直流

陽極功率

100W

最大離子束流

>100mA

電壓

100-1200V

氣體

惰性和反應氣體

進氣流量

2-10sccm

壓力

<0.5m Torr

離子光學(自對準)

OptiBeamTM

離子束直徑

4cm Φ max

柵極

鉬和石墨

離子束形狀

聚焦, 平行, 散射

高度

16cm

直徑

9cm


上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.

若您需要進一步的了解 KRi 離子源 詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式:
上海伯東: 葉小姐                                                臺灣伯東: 王小姐
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KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應用于 IBE 刻蝕 + E-beam 高真空雙腔系統

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更新 : 2026-01-26

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