KRI 考夫曼離子源 KDC 75 技術參數
通過加熱燈絲產生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強設計輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實現輔助鍍膜 IBAD.
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型號 |
KDC 75 / KDC 75L(低電流輸出) |
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供電 |
DC magnetic confinement |
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- 陰極燈絲 |
2 |
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- 陽極電壓 |
0-100V DC |
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電子束 |
OptiBeam™ |
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- 柵極 |
專用, 自對準 |
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-柵極直徑 |
7.5 cm |
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中和器 |
燈絲 |
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電源控制 |
KSC 1212 或 KSC 1202 |
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配置 |
- |
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- 陰極中和器 |
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 |
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- 安裝 |
移動或快速法蘭 |
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- 高度 |
7.9' |
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- 直徑 |
5.5' |
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- 離子束 |
聚焦 |
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-加工材料 |
金屬 |
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-工藝氣體 |
惰性 |
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-安裝距離 |
6-24” |
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- 自動控制 |
控制4種氣體 |
* 可選: 一個陰極燈絲; 可調角度的支架
KRI 考夫曼離子源 KDC 75 應用領域
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
KRi KDC 考夫曼離子源典型案例:
設備: e-beam 電子束蒸發系統
離子源型號: KDC 75
應用: IBAD 輔助鍍膜, 在玻璃上鍍上高反射率膜 (光柵的鍍膜)
離子源對工藝過程的優化: 無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進行低溫處理, 簡化反應沉積
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
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應用案例
上海伯東針對不同客戶, 提供定制化解決方案并能與客戶攜手合作研發新的項目應用
KRi 考夫曼離子源應用于光學鍍膜離子束拋光機及晶體硅片離子束拋光機.
離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝介紹
通過加熱燈絲產生電子, KDC 系列離子源增強設計輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實現輔助鍍膜 IBAD
應用于刻蝕 2寸,4寸金屬和多層氧化物, 滿足客戶研發液晶功能材料及器件, 如光柵器件(透射式, 螺旋式和閃耀式光柵) 等要求.
離子源預清潔 Pre-clean 的工藝, 對基材表面有機物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等
