上海伯東日本原裝進口 NS 離子束刻蝕機 10 IBE, 適用于實驗室研究 8寸及以下單片的材料刻蝕. 離子束刻蝕機 10 IBE 可選配美國 KRi 考夫曼離子源或終點檢測(監(jiān)測當前氣體成分, 監(jiān)控刻蝕制程).
離子束刻蝕機 10 IBE 基本參數(shù)
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型號 |
10 IBE |
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應用 |
實驗室研發(fā),占地面積小 |
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內置 |
考夫曼型離子源 (或根據需求選擇射頻離子源) |
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基板尺寸 |
φ2" 或 φ4" 或 φ6" 或 φ8"x 1枚 (可根據器件大小定制載臺) |
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均勻性 |
≤±5% |
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刻蝕速率 |
硅片 20 nm/min |
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工藝氣體 |
Ar, O2, N2 |
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樣品臺 |
直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉 |
離子束刻蝕機 10 IBE 組成
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離子束刻蝕機 10 IBE 特性:
1. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度
2. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
4. 配置公轉自轉傳輸機構 ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%
5. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
6. 可選配德國 Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 機臺設計使用半自動化(手動放置樣品)操作流程
上海伯東 IBE 離子束刻蝕機可根據客戶的要求進行定制. 離子束刻蝕作為干法蝕刻工藝中的微細加工被廣泛應用. 由于是不伴隨化學反應的物理蝕刻工藝, 因此不僅適用于Au, Pt, 磁性材料等難蝕刻材料的加工, 也適用于由多個金屬膜形成的多層膜蝕刻工藝. 伯東公司超過 50年的離子刻蝕市場經驗, 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術!
自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套IBE離子束刻蝕機. 刻蝕機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵.上海伯東也是美國 KRi 離子源中國總代理, KRi 離子源適用于各類真空設備, 實現(xiàn)離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.
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