上海伯東離子束刻蝕機(jī)典型刻蝕材料
|
類別
|
器件
|
刻蝕材料
|
|
磁性材料
|
自旋電子: MR / AMR / GMR / TMR, MRAM, HDD
|
Ni-Fe, Ni-Co, TiO2, BST, Co-Fe, Ta, Cu, Ni-Mo, SiO2 等等…
|
|
傳感器 MEMS
|
鉑熱電阻, 流量計, 紅外傳感器, 壓電打印機(jī)頭等
|
PT, PZT, Au, Pt, W, Ta (electrode) 等等…
|
|
RF 射頻器件
|
射頻濾波器, GaAs / GaN HEMT 等
|
Au, Pt, Ti, Ru, Cr, LN (LiNbO3) 等
|
|
光電子
|
激光二極管, 光電探測器, 薄膜分裝等
|
Au, Pt, Ti, TaN, GaN 等
|
|
其他
|
探針卡, 薄膜片式電阻器, 氧化物, 超導(dǎo)等
|
NiCr, Cr, Cu, Pd, Ir, LuFe2O4, SrTiO4, MgOHfO2 等
|
IBE 離子束刻蝕機(jī)應(yīng)用優(yōu)勢
1. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度; 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀
2. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環(huán)境下蝕刻; 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu) ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%
3. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
4. 可選配德國 Pfeiffer 分子泵和旋片泵, 客制化設(shè)計, 超高自由度, 設(shè)計緊湊, 占地面積小
5. 支持批量多片刻蝕工藝
上海伯東離子束刻蝕機(jī)典型應(yīng)用: 可根據(jù)客戶的要求進(jìn)行定制. 離子束刻蝕作為干法蝕刻工藝中的微細(xì)加工被廣泛應(yīng)用. 由于是不伴隨化學(xué)反應(yīng)的物理蝕刻工藝, 因此不僅適用于Au, Pt, 磁性材料等難蝕刻材料的加工, 也適用于由多個金屬膜形成的多層膜蝕刻工藝.
1. MEMS 傳感器芯片刻蝕: PT, PZT, Au, Pt, W, Ta (electrode) 等等…
2. 光柵刻蝕: 薄膜鈮酸鋰（LN）光柵耦合器制備, 閃耀羅蘭光柵制作, AR 眼鏡斜光柵制備, GaN光柵制造
3. 磁性器件: Ni-Fe, Ni-Co, TiO2, BST, Co-Fe, Ta, Cu, Ni-Mo, SiO2 等等…
4. 自旋電子學(xué): 選配終點(diǎn)檢測器, 可實(shí)現(xiàn)超薄磁性層刻蝕控制.
伯東公司超過 50年的離子刻蝕市場經(jīng)驗, 擁有龐大的安裝基礎(chǔ)和經(jīng)過市場驗證的刻蝕技術(shù)!
上海伯東 IBE 離子束刻蝕機(jī)可根據(jù)客戶的要求進(jìn)行定制. 離子束刻蝕作為干法蝕刻工藝中的微細(xì)加工被廣泛應(yīng)用. 由于是不伴隨化學(xué)反應(yīng)的物理蝕刻工藝, 因此不僅適用于Au, Pt, 磁性材料等難蝕刻材料的加工, 也適用于由多個金屬膜形成的多層膜蝕刻工藝. 伯東公司超過 50年的離子刻蝕市場經(jīng)驗, 擁有龐大的安裝基礎(chǔ)和經(jīng)過市場驗證的刻蝕技術(shù)!
自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套IBE離子束刻蝕機(jī). 刻蝕機(jī)可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵.上海伯東也是美國 KRi 離子源中國總代理, KRi 離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.
若您需要進(jìn)一步的了解 NS離子束刻蝕機(jī)詳細(xì)信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式：
上海伯東: 葉小姐 臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 ) T: +886-3-567-9508 ext 161
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 ) M: +886-939-653-958
qq: 2821409400
現(xiàn)部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯(lián)絡(luò)上海伯東 葉小姐 1391-883-7267
上海伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！
IBE 離子束刻蝕機(jī)應(yīng)用優(yōu)勢
