上海伯東日本 NS 離子束刻蝕機(jī)中國(guó)總代理. NS 離子束刻蝕機(jī) 20 IBE-J, 大口徑基板尺寸, 適用于實(shí)驗(yàn)室批量處理的大型干法刻蝕機(jī), 離子束刻蝕機(jī) 20 IBE-J 滿足 4寸, 6寸, 8寸多片材料刻蝕. 采用自研公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu) ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%. 離子束刻蝕機(jī) 20 IBE-J可選配美國(guó) KRi 離子源或終點(diǎn)檢測(cè)(監(jiān)測(cè)當(dāng)前氣體成分, 監(jiān)控刻蝕制程).
離子束刻蝕機(jī) 20 IBE-J 基本參數(shù)
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型號(hào) |
20 IBE-J |
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應(yīng)用 |
適用于批量處理的實(shí)驗(yàn)室研發(fā) |
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內(nèi)置 |
考夫曼型離子源(或根據(jù)需求選擇射頻離子源) |
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基板尺寸 |
φ4 inch X12片 |
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均勻性 |
≤±5% |
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刻蝕速率 |
硅片 20 nm/min |
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工藝氣體 |
Ar, O2, N2 |
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樣品臺(tái) |
直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉(zhuǎn) |
離子束刻蝕機(jī) IBE 特性:
1. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級(jí)別的刻蝕精度
2. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
4. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu) ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%
5. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
6. 可選配德國(guó) Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 機(jī)臺(tái)設(shè)計(jì)使用半自動(dòng)化(手動(dòng)放置樣品)操作流程
上海伯東IBE 離子束刻蝕機(jī)可根據(jù)客戶的要求進(jìn)行定制. 離子束刻蝕作為干法蝕刻工藝中的微細(xì)加工被廣泛應(yīng)用. 由于是不伴隨化學(xué)反應(yīng)的物理蝕刻工藝, 因此不僅適用于Au, Pt, 磁性材料等難蝕刻材料的加工, 也適用于由多個(gè)金屬膜形成的多層膜蝕刻工藝. 伯東公司超過(guò) 50年的離子刻蝕市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn), 擁有龐大的安裝基礎(chǔ)和經(jīng)過(guò)市場(chǎng)驗(yàn)證的刻蝕技術(shù)!
自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計(jì)交付約 500套IBE離子束刻蝕機(jī). 刻蝕機(jī)可配置德國(guó) Pfeiffer 渦輪分子泵.上海伯東也是美國(guó) KRi 離子源中國(guó)總代理, KRi 離子源適用于各類(lèi)真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.
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上海伯東: 葉小姐 臺(tái)灣伯東: 王小姐
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