薄膜鈮酸鋰波導的刻蝕輪廓直接決定光芯片傳輸損耗, 調制性能. 當前 1.6T/3.2T 高速 TFLN 光器件制造提出嚴苛工藝指標: 薄膜刻蝕側壁準直度要求超過80°, 傳統 ICP, RIE 干法刻蝕工藝存在明顯短板: 鈮酸鋰刻蝕過程易產生難揮發副產物堆積在側壁, 造成側壁傾斜, 表面粗糙度上升, 難以穩定實現 80°以上陡直側壁, 無法滿足高端高速光芯片量產標準.

離子束刻蝕 IBE 是薄膜鈮酸鋰精密圖形加工的優選技術路線. 上海伯東代理日本 NS IBE 離子束刻蝕設備依靠純物理離子轟擊刻蝕, 離子入射角度連續可調, 材料適配性廣，非常適合難加工的鈮酸鋰晶體材料

一、NS IBE 離子束刻蝕應用于 TFLN 加工核心優勢
1. 穩定實現 ＞80° 刻蝕側壁準直度
可精準調控離子入射角度, 有效抑制側壁再沉積, 獲得陡直光滑的脊型波導側壁輪廓，降低光波散射損耗，匹配1.6T/3.2T TFLN調制器量產指標
IBE 離子束刻蝕機,刻蝕準直度> 80°

2. 適配復雜微納圖形制備
支持波導, 光柵耦合器, 微環諧振腔等多種復雜光子結構加工, 圖形保真度高, 滿足光子集成芯片多樣化設計需求

3. 工藝穩定性強, 兼顧研發與中小批量量產
束流均勻性優異, 刻蝕速率可控, 既適合實驗室工藝開發, 也可向晶圓級量產工藝平滑遷移

上海伯東是日本 NS IBE 離子束刻蝕設備中國官方代理, 深耕真空與微納加工領域多年, 可提供設備選型, 工藝方案開發,  設備安裝調試, 售后技術支持一站式服務, 面向薄膜鈮酸鋰, 鉭酸鋰, 光學晶體, 半導體薄膜等客戶提供成熟IBE刻蝕解決方案.
NS IBE 離子束刻蝕設備 光芯片微納加工

除薄膜鈮酸鋰光子芯片外, NS IBE 離子束刻蝕同樣廣泛應用于集成光學, 量子芯片, MEMS器件, 磁性薄膜, 光學鍍膜基底精密加工等領域, 是高精度各向異性刻蝕的主流工藝設備.

結語: 在1.6T, 3.2T光模塊產業浪潮下, 薄膜鈮酸鋰產業鏈競爭逐步轉向精密制造工藝比拼. 突破高側壁準直度刻蝕瓶頸, 是提升TFLN光芯片良率與器件性能的關鍵. 上海伯東日本NS IBE離子束刻蝕工藝, 為國內光芯片廠商提供可靠的薄膜鈮酸鋰精密加工路徑, 助力國產高速光芯片產業化落地.

自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套IBE離子束刻蝕機. 刻蝕機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵.上海伯東也是美國 KRi 離子源中國總代理, KRi 離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.

若您需要進一步的了解 NS IBE 離子束刻蝕機詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式：
上海伯東: 葉小姐                                                臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 )               M: +886-939-653-958

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更新 : 2026-08-03

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