IBE 離子束刻蝕設備 MRAM 磁性存儲器干法刻蝕應用

刻蝕不易刻蝕的金屬或合成堆棧膜層 Ta, Ru, Pt … 及介質層 SiO2, SiNx …

IBE 離子束干法刻蝕機在精密光柵加工中的應用優勢

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機適用于閃耀羅蘭光柵, AR 眼鏡斜光柵, GaN光柵, 薄膜鈮酸鋰（LN）光柵耦合器制備

IBE 離子束刻蝕機應用優勢

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機刻蝕最大 8寸的幾乎任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導體, 絕緣體等

上海伯東離子束刻蝕機 20IBE-C 在 BAW/SAW 濾波器刻蝕中的應用

IBE 離子束刻蝕機 20IBE-C 成為 BAW/SAW 濾波器制造的關鍵工藝之一.

鈮酸鋰 LiNbO3 薄膜 IBE 離子束刻蝕

因 LiNbO3 惰性特性, 使用 ICP 或 RIE 工藝無法完成刻蝕, 上海伯東 IBE 離子束刻蝕機為鈮酸鋰 LiNbO3 薄膜刻蝕提供解決方案

IBE 離子束刻蝕機物理量傳感器 MEMS 刻蝕應用

離子束刻蝕機 IBE 可以很好的解決傳感器 MEMS 的刻蝕難題, 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀, 刻蝕那些很難刻蝕的硬質或惰性材料.

IBE 離子束刻蝕機工作原理與性能特點

IBE (Ion Beam Etching) 離子束刻蝕, 通常使用 Ar 氣體作為蝕刻氣體, 將與電子的沖擊產生的離子在 200~ 1000ev 的范圍內加速, 利用離子的物理動能

IBE 離子束刻蝕機刻蝕應用

上海伯東提供 4-8寸 IBE 離子束刻蝕機, 可以實現 ICP 或 RIE 無法進行的刻蝕, 幾乎滿足所有材料的刻蝕

IBE 離子束刻蝕機刻蝕材料和速率

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料.是一種干法物理納米級別的刻蝕, 刻蝕均勻性 ≤±5%(部分材料 ±3%).