IBE 離子束干法刻蝕機在精密光柵加工中的應用優勢

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機適用于閃耀羅蘭光柵, AR 眼鏡斜光柵, GaN光柵, 薄膜鈮酸鋰（LN）光柵耦合器制備

鈮酸鋰 LiNbO3 薄膜 IBE 離子束刻蝕

因 LiNbO3 惰性特性, 使用 ICP 或 RIE 工藝無法完成刻蝕, 上海伯東 IBE 離子束刻蝕機為鈮酸鋰 LiNbO3 薄膜刻蝕提供解決方案

IBE 離子束刻蝕設備 MRAM 磁性存儲器干法刻蝕應用

刻蝕不易刻蝕的金屬或合成堆棧膜層 Ta, Ru, Pt … 及介質層 SiO2, SiNx …

上海伯東離子束刻蝕機 20IBE-C 在 BAW/SAW 濾波器刻蝕中的應用

IBE 離子束刻蝕機 20IBE-C 成為 BAW/SAW 濾波器制造的關鍵工藝之一.

IBE 離子束刻蝕機刻蝕應用

上海伯東提供 4-8寸 IBE 離子束刻蝕機, 可以實現 ICP 或 RIE 無法進行的刻蝕, 幾乎滿足所有材料的刻蝕

薄膜鈮酸鋰 TFLN 刻蝕解決方案：上海伯東日本 NS IBE 離子束刻蝕機滿足 1.6T / 3.2T 光芯片 80° 側壁準直度工藝要求

日本 NS IBE 離子束刻蝕滿足 1.6T/3.2T 光芯片80°側壁工藝要求

IBE 離子束刻蝕機應用優勢

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機刻蝕最大 8寸的幾乎任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導體, 絕緣體等

IBE 離子束刻蝕機工作原理與性能特點

IBE (Ion Beam Etching) 離子束刻蝕, 通常使用 Ar 氣體作為蝕刻氣體, 將與電子的沖擊產生的離子在 200~ 1000ev 的范圍內加速, 利用離子的物理動能

IBE 離子束刻蝕機刻蝕材料和速率

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料.是一種干法物理納米級別的刻蝕, 刻蝕均勻性 ≤±5%(部分材料 ±3%).

IBE 離子束刻蝕機物理量傳感器 MEMS 刻蝕應用

離子束刻蝕機 IBE 可以很好的解決傳感器 MEMS 的刻蝕難題, 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀, 刻蝕那些很難刻蝕的硬質或惰性材料.