什么是 IBE ?
IBE (Ion Beam Etching) 離子束刻蝕, 通常使用 Ar 氣體作為蝕刻氣體, 將與電子的沖擊產生的離子在 200~ 1000ev 的范圍內加速, 利用離子的物理動能, 削去基板表面材料的現象. 是一種物理納米干法刻蝕, 當離子束與基板表面碰撞時, 破壞表面存在的原子間結合力（數 eV左右）, 將表面的原子拋出.

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機包括用于產生和加速離子的考夫曼離子源, 用于使帶正電荷的離子束電中性化的中和器, 用于保持基片的樣品臺, 真空系統(德國 Pfeiffer 真空泵)等.
IBE 離子束刻蝕機原理和特性

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機特性
1. 客制化設計, 超高自由度

2. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度
3. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀
4. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環境下蝕刻.
5. 配置公轉自轉傳輸機構 ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%
6. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
7. 機臺設計使用自動化的操作流程, 非常友好的使用生產過程

IBE 離子束刻蝕機型號


10 IBE 小型離子蝕刻機適用于科研院所 10cm 考夫曼型離子源樣品: 4”φ X 1	20 IBE-C 中等規模量產 20cm 考夫曼型離子源樣品: 4”φ X 6或 3”φ X 8	20 IBE-J 大規模量產 20cm 考夫曼型離子源樣品: 4”φ X 12或 6”φX 8

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機主要應用


自旋電子學在自旋電子學研究領域擁有大量的案例. 結合端點檢測器, 可實現超薄磁性層蝕刻控制.	各類傳感器多層膜結構的金屬膜（Ti, Pt, Au 等）可通過單一工藝進行加工.反應蝕刻難蝕刻材料如燙金等磁性材料也可輕松加工.	化合物半導體氬氣工藝使金的配線刻蝕以及電鍍種子層的去除成為可能. 特別是在長時間刻蝕的情況下, 批處理方式在吞吐量方面非常有優勢.

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機可根據客戶的要求進行定制. 離子束刻蝕作為干法蝕刻工藝中的微細加工被廣泛應用. 由于是不伴隨化學反應的物理蝕刻工藝, 因此不僅適用于Au, Pt, 磁性材料等難蝕刻材料的加工, 也適用于由多個金屬膜形成的多層膜蝕刻工藝. 伯東公司超過 50年的離子刻蝕市場經驗, 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術!

自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套IBE離子束刻蝕機. 刻蝕機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵.上海伯東也是美國 KRi 離子源中國總代理, KRi 離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.

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IBE 離子束刻蝕機工作原理與性能特點

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