




上海伯東日本NS IBE 離子束刻蝕光柵加工應(yīng)用案例
1. 薄膜鈮酸鋰(LN)光柵耦合器制備: 薄膜鈮酸鋰在光通信等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛, 該工藝可實現(xiàn)側(cè)壁傾角 >80°, 刻蝕速率穩(wěn)定, 僅用光刻膠作掩模降低了工藝復(fù)雜度. 通過調(diào)節(jié)載物臺傾角, 能為刻蝕斜波導(dǎo)光柵提供技術(shù)基礎(chǔ), 還可主動優(yōu)化波導(dǎo)側(cè)壁角度
2. 閃耀羅蘭光柵制作: 某研究所使用上海伯東離子束蝕刻機 10IBE 制作閃耀羅蘭光柵, 制造出的光柵比其他工藝制造的產(chǎn)品整體衍射效率高 25%, 實現(xiàn)了高衍射效率閃耀羅蘭光柵制作, 且工藝可控, 穩(wěn)定.
3. AR 眼鏡斜光柵制備: 在 AR 眼鏡的斜光柵光波導(dǎo)制備中, 由于均勻性問題, 難以直接采用反應(yīng)型刻蝕方案, 可采用 IBE 或反應(yīng)離子束刻蝕 RIBE 技術(shù). 先在基底上鍍硬掩模層, 旋涂抗蝕劑層, 經(jīng)曝光圖案化后, 將抗蝕劑圖案轉(zhuǎn)移到硬掩模層, 再通過刻蝕工藝去除剩余抗蝕劑層和硬掩模, 可獲得具有出色均勻性的斜光柵.
4. GaN光柵制造: GaN 光柵在光電子器件領(lǐng)域具有重要應(yīng)用前景, 某研究采用 IBE 工藝制造硅基 GaN 光柵, 通過研究不同蝕刻傾斜角對 GaN 光柵光學(xué)性能的影響, 建立了帶有蝕刻傾斜角的硅基 GaN 光柵結(jié)構(gòu)模型, 分析了光柵厚度, GaN 膜層厚度等參數(shù)對其光學(xué)性能的影響, 為制造 GaN 反射光子器件如折射率傳感器, 耦合器等提供了理論支持.
上海伯東提供 4-8寸 IBE 離子束刻蝕機, 可以實現(xiàn) ICP 或 RIE 無法進行的刻蝕, 通過干法, 納米級別材料的表面刻蝕, 幾乎滿足所有材料. 例如磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料. IBE 離子束刻蝕機離子束角度可以 ±90°任意調(diào)整, 刻蝕可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀, 刻蝕均勻性 ≤±5%(部分材料 ±3%).

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機可根據(jù)客戶的要求進行定制. 離子束刻蝕作為干法蝕刻工藝中的微細加工被廣泛應(yīng)用. 由于是不伴隨化學(xué)反應(yīng)的物理蝕刻工藝, 因此不僅適用于Au, Pt, 磁性材料等難蝕刻材料的加工, 也適用于由多個金屬膜形成的多層膜蝕刻工藝. 伯東公司超過 50年的離子刻蝕市場經(jīng)驗, 擁有龐大的安裝基礎(chǔ)和經(jīng)過市場驗證的刻蝕技術(shù)!
自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套IBE離子束刻蝕機. 刻蝕機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵.上海伯東也是美國 KRi 離子源中國總代理, KRi 離子源適用于各類真空設(shè)備, 實現(xiàn)離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.
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上海伯東: 葉小姐 臺灣伯東: 王小姐
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上海伯東版權(quán)所有, 翻拷必究!
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