離子束刻蝕機 10 IBE 主要技術參數:
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基板尺寸 |
4寸 |
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樣品臺 |
干式橡膠卡盤+直接冷卻（水冷）+0-±90 度旋轉 |
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離子源 |
考夫曼源 Well-2100（柵網φ100mm） |
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均勻性 |
≤5%（4寸 Si晶圓） |
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刻蝕速率 |
20nm/min （Si 晶圓） |
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真空度 |
1E-3Pa（45min內） |
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真空系統 |
干泵 + 德國 Pfeiffer 分子泵 |
上海伯東日本原裝進口離子束刻蝕機推薦應用:
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類別 |
器件 |
刻蝕材料 |
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磁性器件 |
自旋電子: MR / AMR / GMR / TMR, MRAM, HDD |
Ni-Fe, Ni-Co, TiO2, BST, Co-Fe, Ta, Cu, Ni-Mo, SiO2 等等… |
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傳感器 MEMS |
鉑熱電阻, 流量計, 紅外傳感器, 壓電打印機頭等 |
PT, PZT, Au, Pt, W, Ta (electrode) 等等… |
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RF 射頻器件 |
射頻濾波器, GaAs / GaN HEMT 等 |
Au, Pt, Ti, Ru, Cr, LN (LiNbO3) 等 |
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光電子 |
激光二極管, 光電探測器, 薄膜分裝等 |
Au, Pt, Ti, TaN, GaN 等 |
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其他 |
探針卡, 薄膜片式電阻器, 氧化物, 超導等 |
NiCr, Cr, Cu, Pd, Ir, LuFe2O4, SrTiO4, MgOHfO2 等 |
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上海伯東IBE離子束刻蝕機可根據客戶的要求進行定制. 離子束刻蝕作為干法蝕刻工藝中的微細加工被廣泛應用. 由于是不伴隨化學反應的物理蝕刻工藝, 因此不僅適用于Au, Pt, 磁性材料等難蝕刻材料的加工, 也適用于由多個金屬膜形成的多層膜蝕刻工藝. 伯東公司超過 50年的離子刻蝕市場經驗, 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術!
自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套IBE離子束刻蝕機. 刻蝕機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵.上海伯東也是美國 KRi 離子源中國總代理, KRi 離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.
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上海伯東版權所有, 翻拷必究！
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