上海伯東代理日本原裝進口離子束刻蝕機 20IBE-C, 適用于半導體, MEMS, 射頻器件研發試驗, 在 BAW, SAW 濾波器的壓電薄膜（AlN, LiNbO?, LiTaO?）, 金屬電極（Al, Au, Pt, Mo）刻蝕與頻率修調中表現突出, 為射頻濾波器高品質制造提供穩定可靠的刻蝕方案.

BAW / SAW 濾波器對刻蝕工藝的核心要求
1. 納米級線寬與深度精度: 電極指條, 諧振腔結構尺寸直接影響中心頻率與帶寬, 需亞微米至納米級可控性.
2. 高側壁陡直度: 減少側向鉆蝕, 保證聲波反射與傳輸效率, 提升器件 Q值
3. 高均勻性: 晶圓內與片間一致性好, 保障頻率偏差小, 良率高
4. 低損傷, 低熱效應: 避免壓電薄膜與電極層損傷, 維持材料本征性能.
5. 兼容難刻蝕材料: 適配氮化鋁, 鈮酸鋰, 鉭酸鋰, 貴金屬電極等常規工藝難以加工的材料

上海伯東離子束刻蝕機 20IBE-C 在 BAW/SAW 濾波器刻蝕中的典型應用
1. SAW 濾波器:壓電基片與金屬電極刻蝕, SAW 濾波器以鈮酸鋰, 鉭酸鋰為基片, 需高精度刻蝕叉指換能器（IDT）與反射柵電極.20IBE-C 實現垂直側壁, 低粗糙度, 高均勻性刻蝕, 減少聲波散射, 提升插入損耗與溫漂特性, 滿足 Sub-6G 與毫米波 SAW 器件要求.

2. BAW 濾波器: 壓電薄膜與諧振結構加工, BAW 濾波器以氮化鋁（AlN）為核心壓電層, 對薄膜質量與刻蝕輪廓要求極高. 20IBE-C 實現低損傷, 高選擇比刻蝕, 精準控制諧振腔深度與電極厚度, 提升機電耦合系數與頻率穩定性, 適配 5G/6G 終端與基站 BAW 需求.

上海伯東離子束刻蝕機 20IBE-C 濾波器刻蝕核心優勢
IBE 離子束刻蝕以定向高能離子束物理轟擊實現材料去除, 無化學反應副產物, 無等離子體損傷, 符合 BAW / SAW 濾波器的嚴苛工藝要求.離子束刻蝕機 20IBE-C 采用 20cm 考夫曼離子源, 搭載行星式公轉自轉載臺, 具備以下適配濾波器制造的核心性能:

1. 寬適配晶圓規格: 支持φ3″×8片, φ4″×6片, φ8″×1片, 可定制載臺, 覆蓋研發到中型量產
2. 刻蝕均勻性: 均勻性≤±5%, 部分材料可達±3%, 保障晶圓級頻率一致性
3. 高精度與高各向異性: 納米級刻蝕精度, 側向鉆蝕極小, 電極形貌規整.
4. 全材料兼容: 可刻蝕金屬, 合金, 壓電氧化物, 半導體, 絕緣體, 完美覆蓋 BAW/SAW 常用材料體系
5. 低溫低損傷: 基板直冷/間冷可選, 刻蝕熱影響區極小, 保護壓電薄膜與敏感結構
6. 工藝可控性強: 離子能量, 束流, 入射角獨立可調, 支持垂直/傾斜刻蝕, 滿足頻率修調與特殊結構加工
7. 可選配終點檢測: EPD 實時監控制程, 提升重復性與良率

在 5G/ 6G 射頻前端小型化, 高頻化, 集成化趨勢下, BAW / SAW 濾波器對刻蝕精度與一致性要求持續提升. 上海伯東離子束刻蝕機 20IBE-C 以納米精度, 低損傷, 高均勻, 全兼容材料等優勢, 助力射頻器件廠商提升產品競爭力與市場占有率.

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機可根據客戶的要求進行定制. 離子束刻蝕作為干法蝕刻工藝中的微細加工被廣泛應用. 由于是不伴隨化學反應的物理蝕刻工藝, 因此不僅適用于Au, Pt, 磁性材料等難蝕刻材料的加工, 也適用于由多個金屬膜形成的多層膜蝕刻工藝. 伯東公司超過 50年的離子刻蝕市場經驗, 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術!

自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套 IBE 離子束刻蝕機. 刻蝕機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵.上海伯東也是美國 KRi 離子源中國總代理, KRi 離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.

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