上海伯東代理日本原裝進(jìn)口離子束刻蝕機(jī) 20IBE-C, 適用于半導(dǎo)體, MEMS, 射頻器件研發(fā)試驗(yàn), 在 BAW, SAW 濾波器的壓電薄膜（AlN, LiNbO?, LiTaO?）, 金屬電極（Al, Au, Pt, Mo）刻蝕與頻率修調(diào)中表現(xiàn)突出, 為射頻濾波器高品質(zhì)制造提供穩(wěn)定可靠的刻蝕方案.
離子束刻蝕機(jī) 20IBE-C

BAW / SAW 濾波器對(duì)刻蝕工藝的核心要求
1. 納米級(jí)線寬與深度精度: 電極指條, 諧振腔結(jié)構(gòu)尺寸直接影響中心頻率與帶寬, 需亞微米至納米級(jí)可控性.
2. 高側(cè)壁陡直度: 減少側(cè)向鉆蝕, 保證聲波反射與傳輸效率, 提升器件 Q值
3. 高均勻性: 晶圓內(nèi)與片間一致性好, 保障頻率偏差小, 良率高
4. 低損傷, 低熱效應(yīng): 避免壓電薄膜與電極層損傷, 維持材料本征性能.
5. 兼容難刻蝕材料: 適配氮化鋁, 鈮酸鋰, 鉭酸鋰, 貴金屬電極等常規(guī)工藝難以加工的材料

上海伯東離子束刻蝕機(jī) 20IBE-C 在 BAW/SAW 濾波器刻蝕中的典型應(yīng)用
1. SAW 濾波器:壓電基片與金屬電極刻蝕, SAW 濾波器以鈮酸鋰, 鉭酸鋰為基片, 需高精度刻蝕叉指換能器（IDT）與反射柵電極.20IBE-C 實(shí)現(xiàn)垂直側(cè)壁, 低粗糙度, 高均勻性刻蝕, 減少聲波散射, 提升插入損耗與溫漂特性, 滿足 Sub-6G 與毫米波 SAW 器件要求.

2. BAW 濾波器: 壓電薄膜與諧振結(jié)構(gòu)加工, BAW 濾波器以氮化鋁（AlN）為核心壓電層, 對(duì)薄膜質(zhì)量與刻蝕輪廓要求極高. 20IBE-C 實(shí)現(xiàn)低損傷, 高選擇比刻蝕, 精準(zhǔn)控制諧振腔深度與電極厚度, 提升機(jī)電耦合系數(shù)與頻率穩(wěn)定性, 適配 5G/6G 終端與基站 BAW 需求.

上海伯東離子束刻蝕機(jī) 20IBE-C 濾波器刻蝕核心優(yōu)勢(shì)
IBE 離子束刻蝕以定向高能離子束物理轟擊實(shí)現(xiàn)材料去除, 無(wú)化學(xué)反應(yīng)副產(chǎn)物, 無(wú)等離子體損傷, 符合 BAW / SAW 濾波器的嚴(yán)苛工藝要求.離子束刻蝕機(jī) 20IBE-C 采用 20cm 考夫曼離子源, 搭載行星式公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)載臺(tái), 具備以下適配濾波器制造的核心性能:

1. 寬適配晶圓規(guī)格: 支持φ3″×8片, φ4″×6片, φ8″×1片, 可定制載臺(tái), 覆蓋研發(fā)到中型量產(chǎn)
2. 刻蝕均勻性: 均勻性≤±5%, 部分材料可達(dá)±3%, 保障晶圓級(jí)頻率一致性
3. 高精度與高各向異性: 納米級(jí)刻蝕精度, 側(cè)向鉆蝕極小, 電極形貌規(guī)整.
4. 全材料兼容: 可刻蝕金屬, 合金, 壓電氧化物, 半導(dǎo)體, 絕緣體, 完美覆蓋 BAW/SAW 常用材料體系
5. 低溫低損傷: 基板直冷/間冷可選, 刻蝕熱影響區(qū)極小, 保護(hù)壓電薄膜與敏感結(jié)構(gòu)
6. 工藝可控性強(qiáng): 離子能量, 束流, 入射角獨(dú)立可調(diào), 支持垂直/傾斜刻蝕, 滿足頻率修調(diào)與特殊結(jié)構(gòu)加工
7. 可選配終點(diǎn)檢測(cè): EPD 實(shí)時(shí)監(jiān)控制程, 提升重復(fù)性與良率

在 5G/ 6G 射頻前端小型化, 高頻化, 集成化趨勢(shì)下, BAW / SAW 濾波器對(duì)刻蝕精度與一致性要求持續(xù)提升. 上海伯東離子束刻蝕機(jī) 20IBE-C 以納米精度, 低損傷, 高均勻, 全兼容材料等優(yōu)勢(shì), 助力射頻器件廠商提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力與市場(chǎng)占有率.

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機(jī)可根據(jù)客戶的要求進(jìn)行定制. 離子束刻蝕作為干法蝕刻工藝中的微細(xì)加工被廣泛應(yīng)用. 由于是不伴隨化學(xué)反應(yīng)的物理蝕刻工藝, 因此不僅適用于Au, Pt, 磁性材料等難蝕刻材料的加工, 也適用于由多個(gè)金屬膜形成的多層膜蝕刻工藝. 伯東公司超過(guò) 50年的離子刻蝕市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn), 擁有龐大的安裝基礎(chǔ)和經(jīng)過(guò)市場(chǎng)驗(yàn)證的刻蝕技術(shù)!

自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計(jì)交付約 500套 IBE 離子束刻蝕機(jī). 刻蝕機(jī)可配置德國(guó) Pfeiffer 渦輪分子泵.上海伯東也是美國(guó) KRi 離子源中國(guó)總代理, KRi 離子源適用于各類(lèi)真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.

若您需要進(jìn)一步的了解 NS 離子束刻蝕機(jī)詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式：
上海伯東: 葉小姐臺(tái)灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號(hào) ) M: +886-939-653-958

現(xiàn)部分品牌誠(chéng)招合作代理商, 有意向者歡迎聯(lián)絡(luò)上海伯東葉小姐 1391-883-7267
上海伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！