上海伯東 IBE 離子束刻蝕設備特點
1. 離子束刻蝕設備可撘配美國 KRi 考夫曼品牌 RFICP 射頻離子源, 針對客戶所需不同的基板尺寸 2 ~12寸硅片, 離子束分布均勻性可以優于95% 以上, 達到高刻蝕均勻性
KRI RFICP 射頻離子源

2. 樣品臺裝置設計為可調式旋轉, 刻蝕傾斜角度 0° ~170° 可以達到更佳刻蝕均勻性. 另外, 在載盤部分可以選擇氦冷裝置, 實現刻蝕工藝時對基板的冷卻效果.
IBE 離子束刻蝕機
3. 進樣腔體可以選擇自動進樣設計或是手動進樣設計, 實現單片或是多片進樣選擇, 同時保持刻蝕工藝腔體處于真空狀態, 達到連續性工藝.

上海伯東 IBE 離子束刻蝕設備案例: 滿足刻蝕線條寬度, 準直度的高要求
IBE離子束刻蝕

上海伯東代理 IBE 離子束刻蝕設備可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 是一種干法物理納米級別的刻蝕, 刻蝕均勻性 ≤±5%(部分材料 ±3%). IBE 刻蝕機幾乎滿足所有材料的刻蝕. 例如磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復合半導體材料, 廣泛應用于 RF 射頻器件, MEMS 傳感器, 磁性器件 … 等研究.

對于“難去除”的材料比如貴金屬（如金和鉑）, 壓電材料（鋯鈦酸鉛 PZT,  鈮酸鋰 LiNbO3 和 氮化鋁鈧 AlScN, 或用于 MRAM 和 STT-MRAM 的材料（如 AL2O3 , Ni, Fe, Cr, Co, Cu, Mn 和 Pd 等）上海伯東 IBE 離子束刻蝕設備同樣有著穩定的刻蝕均勻性.

自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套IBE離子束刻蝕機. 刻蝕機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵.上海伯東也是美國 KRi 離子源中國總代理, KRi 離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.

若您需要進一步的了解 NS離子束刻蝕機詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式：
上海伯東: 葉小姐                                                 臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 )               T: +886-3-567-9508 ext 161
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更新 : 2026-01-14

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